[实用新型]一种用于磁控溅射制备薄膜的金属拼接靶有效
| 申请号: | 201320115944.4 | 申请日: | 2013-03-14 |
| 公开(公告)号: | CN203112922U | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
| 发明(设计)人: | 黄延伟 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 杜军 |
| 地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 磁控溅射 制备 薄膜 金属 拼接 | ||
【权利要求书】:
1. 一种用于磁控溅射制备薄膜的金属拼接靶,其特征是:该靶用于磁控溅射制备薄膜,由至少两块厚度一致、直径一致的扇形金属圆盘拼接而成,所有扇形金属圆盘的内角之和为360o。
2.根据权利要求1所述的金属拼接靶,其特征是:改变扇形金属盘的内角可制备不同元素比、不同成分比的薄膜。
3.根据权利要求1所述的金属拼接靶,其特征是:溅射时放电环面积大小发生变化,所得薄膜成分也随之变化。
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