[实用新型]一种半导体发光芯片、及半导体照明灯具有效

专利信息
申请号: 201320068744.8 申请日: 2013-02-06
公开(公告)号: CN203205453U 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 李刚 申请(专利权)人: 罗容
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;F21V29/00;F21Y101/02
代理公司: 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 代理人: 张约宗;张秋红
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及一种半导体发光芯片及使用该芯片的灯具。该芯片包括具有第一表面和第二表面的衬底,在所述衬底第一表面有—至少包括n型导电层、发光层和p型导电层的半导体叠层,在所述半导体叠层表面至少有一裸露出部分n型导电层的n型电极台阶和/或n型电极通孔,所述半导体发光芯片的所有裸露的、具有导电性的表面和侧面被至少一绝缘层所包裹;所述绝缘层表面设有裸露的至少一p型电极和至少一n型电极;所述p型电极和n型电极间彼此绝缘,并贯穿所述绝缘层分别与所述p型导电层和n型导电层导电连接。其结构允许用回流焊工艺将半导体发光芯片直接焊接到用于制备各类灯具或光源的灯板、灯条、灯柱、或LED支架、或COB基板上,具有结构简单、制造成本低的优点。
搜索关键词: 一种 半导体 发光 芯片 照明 灯具
【主权项】:
一种半导体发光芯片,包括具有第一表面和第二表面的衬底,在所述衬底第一表面有—至少包括n型导电层、发光层和p型导电层的半导体叠层,在所述半导体叠层表面至少有一裸露出部分n型导电层的n型电极台阶和/或n型电极通孔,其特征在于,所述半导体发光芯片的所有裸露的、具有导电性的表面和侧面被至少一绝缘层所包裹;所述绝缘层表面设有裸露的至少一p型电极和至少一n型电极;所述p型电极和n型电极间彼此绝缘,并贯穿所述绝缘层分别与所述p型导电层和n型导电层导电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗容,未经罗容许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320068744.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top