[实用新型]一种半导体发光芯片、及半导体照明灯具有效
申请号: | 201320068744.8 | 申请日: | 2013-02-06 |
公开(公告)号: | CN203205453U | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 李刚 | 申请(专利权)人: | 罗容 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;F21V29/00;F21Y101/02 |
代理公司: | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 | 代理人: | 张约宗;张秋红 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 发光 芯片 照明 灯具 | ||
1.一种半导体发光芯片,包括具有第一表面和第二表面的衬底,在所述衬底第一表面有—至少包括n型导电层、发光层和p型导电层的半导体叠层,在所述半导体叠层表面至少有一裸露出部分n型导电层的n型电极台阶和/或n型电极通孔,其特征在于,所述半导体发光芯片的所有裸露的、具有导电性的表面和侧面被至少一绝缘层所包裹;
所述绝缘层表面设有裸露的至少一p型电极和至少一n型电极;所述p型电极和n型电极间彼此绝缘,并贯穿所述绝缘层分别与所述p型导电层和n型导电层导电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体发光芯片,其特征在于,裸露在所述绝缘层表面的所述p型电极的位置处设有一与所述p型电极导电连接并紧贴在所述绝缘层表面的p型焊垫,使部分所述绝缘层被包裹在所述半导体叠层和p型焊垫之间;和/或
裸露在所述绝缘层表面的所述n型电极的位置处设有一与所述n型电极导电连接并紧贴在所述绝缘层表面的n型焊垫,使部分所述绝缘层被包裹在所述半导体叠层和n型焊垫之间。
3.根据权利要求1或2所述的半导体发光芯片,其特征在于,在所述半导体发光芯片四周有一内凹;所述内凹位于所述半导体发光芯片的所述半导体叠层一侧,所述内凹底面位于所述衬底第一表面或所述衬底内,所述内凹侧面和底面被至少一绝缘层所包裹。
4.根据权利要求3所述的半导体发光芯片,其特征在于,在所述p型导电层表面与所述绝缘层之间有一p型电流扩展层;所述p型电流扩展层与所述p型电极导电连接,所述p型电流扩展层包括p型导电扩展层、p型反射层、p型接触层中的一种或多种;和/或,
在所述n型电极台阶表面或n型电极通孔底面与所述绝缘层之间有一n型电流扩展层;所述n型电流扩展层与所述n型电极导电连接,所述n型电流扩展层包括n型导电扩展层、n型反射层、n型接触层中的一种或多种。
5.根据权利要求4所述的半导体发光芯片,其特征在于,所述绝缘层的部分或全部含有一光反射层;所述光反射层位于所述绝缘层的中间或位于所述绝缘层的裸露表面。
6.根据权利要求4所述的半导体发光芯片,其特征在于,所述衬底为透光衬底;所述衬底第一表面和/或第二表面为平坦光滑表面或结构化表面;所述结构化表面包括锥状粗糙表面、凹凸表面、金字塔状表面中的一种或多种;和/或,
所述衬底侧面和/或所述半导体叠层侧面为与所述衬底第一表面垂直或斜交的光滑平面、光滑曲面、结构化平面、或结构化曲面;所述结构化包括凹凸、锯齿中的一种或多种。
7.根据权利要求4所述的半导体发光芯片,其特征在于,在所述p型电极与n型电极之间有至少—紧贴在所述绝缘层表面的金属基导热焊垫,所述导热焊垫与所述n型电极和p型电极之间彼此绝缘;和/或,
在所述p型焊垫与n型焊垫之间有至少—紧贴在所述绝缘层表面的金属基导热焊垫,所述导热焊垫与所述n型焊垫和p型焊垫之间彼此绝缘。
8.一种半导体照明灯具,包括散热灯体、套设安装在所述散热灯体外围的灯罩、安装在所述散热灯体上的灯头、以及固定安装在所述散热灯体内的灯板和电源;其特征在于,所述半导体照明灯具还包括权利要求1-7任一项所述的半导体发光芯片;
所述灯板上设置有导电电路,所述导电电路包括至少一p型电极焊盘、至少一n型电极焊盘、以及与外界实现电连接的至少一n型焊点或接点和至少一p型焊点或接点;所述p型电极焊盘与所述半导体发光芯片的p型电极导电相接,所述n型电极焊盘与所述半导体发光芯片的n型电极导电相接。
9.根据权利要求8所述的半导体照明灯具,其特征在于,所述导电电路还包括所述焊盘之间和所述焊盘与焊点或接点之间的互连金属;
所述灯板上设有导热焊盘,所述导热焊盘与所述半导体芯片的导热焊垫导热连接;
所述导热焊盘与所述p型电极焊盘和n型电极焊盘彼此之间绝缘。
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