[实用新型]一种用于AMOLED 中的TFT工序中的结构有效
| 申请号： | 201320037633.0 | 申请日： | 2013-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN203242639U | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 文东星;郎丰伟 | 申请（专利权）人： | 四川虹视显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L27/32 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用于AMOLED中的TFT工序中的结构，包括玻璃基板，玻璃基板上依次覆盖有氧化物缓冲层和非晶硅层，非晶硅层为包含第一非晶硅层、NI原子区和第二非晶硅层的三层结构，所述NI原子区位于第一非晶硅层和第二非晶硅层之间与非晶硅层构成三明治结构。本实用新型的将非晶硅层和NI原子层做成三明治结构，在其中间用溅射设备将金属蒸镀、结晶化时，没有反应的金属会隐藏到内部，这样可以减少晶体管的漏电流，可制造出稳定、有效率的有源矩阵有机发光二极管用TFT。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 amoled 中的 tft 工序 结构 | ||
【主权项】：
一种用于AMOLED中的TFT工序中的结构，包括玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板上依次覆盖有氧化物缓冲层和非晶硅层，所述非晶硅层为包含第一非晶硅层、NI原子区和第二非晶硅层的三层结构，所述NI原子区位于第一非晶硅层和第二非晶硅层之间与非晶硅层构成三明治结构。
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