[实用新型]一种用于AMOLED 中的TFT工序中的结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种薄膜晶体管（TFT，thin film transistor）结构，特别是涉及一种用于AMOLED中的TFT工序中的结构。 

背景技术

有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）由于具有高速应答和自主发光的性质，可以实现动画和发出自然色，并具有宽视角和低功耗的优点，使显示器具有轻薄的特点，因此特别适合于高亮度、高分辨率的便携式通讯设备，以及要求高分辨率、大尺寸的平板显示器。有源矩阵有机发光二极管不同于无源矩阵有机发光二极管，即使需要增加分辨率也不需要高亮度，而且发热小，功耗小。 

适用于有源矩阵有机发光二极管的TFT，需向由有机发光二极管构成的像素上输入恒定电流来进行驱动，因此，相比AMLCD（Active Matrix Liquid Crystal Display主动矩阵液晶显示器），适用于有源矩阵有机发光二极管的TFT需要更加均匀和高的场致迁移率，目前大多采用多晶硅，但现有的低温多晶硅技术中的非激光结晶化方式、金属诱导横向结晶法中的镍污染，造成阈值电压和场致迁移率不均匀、漏电流高等问题。 

目前有源矩阵有机发光二极管用TFT的制作工序包括以下步骤： 

a1 在玻璃基板上，用PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition等离子增强化学气相沉积）蒸镀3000氧化物缓冲层； 

a2 利用PECVD或LPCVD（Low Pressure Chemical Vapor Deposition低压化学气相沉积）沉积600的非晶硅（a-Si）； 

a3 利用MILC（Metal Induced Lateral Crystallization金属诱导横向结晶化）的镍光刻制作图案； 

a4 利用溅射设备蒸镀几十的镍（NI）； 

a5 利用剥离工序清除光刻胶； 

a6 利用结晶炉在大约600℃条件下进行a-Si结晶化； 

a7 硅(源/漏极)图案制作； 

a8 用PECVD蒸镀1000的栅极绝缘层； 

a9 用溅射设备进行栅极金属沉积(2000)，并进行图案制作； 

a10 离子掺杂； 

a11 活性化； 

a12 层间绝缘层沉积及接触孔图案制作； 

a13 源/漏极金属沉积及排线图案制作； 

a14 钝化层沉积及接触孔图案制作； 

a15 ITO（Indium Tin Oxide氧化铟锡）沉积和阳极图案制作； 

a16 光刻胶保护层图案制作。 

可以看出，经过上述步骤a1-a4后，在所述玻璃极板上覆盖有一层厚度为3000的氧化物缓冲层，依次覆盖于氧化物缓冲层之上的还有一层厚度为600的非晶硅（a-Si）一层数十的NI原子层。由于NI原子层在步骤a4后位于最上层，所以在经过步骤a5、a6以及后续步骤后因金属不能完全反应而引起金属源的污染，没有进行反应的NI使原本应该是半导体的硅接近导体，导致高的漏电流。 

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种制作漏电流低的用于AMOLED中的TFT工序中的结构。 

本实用新型解决技术问题所采用的技术方案是：一种用于AMOLED中的TFT工序中的结构，包括玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板上依次覆盖有氧化物缓冲层和非晶硅层，所述非晶硅层为包含第一非晶硅层、NI原子区和第二非晶硅层的三层结构，所述NI原子区位于第一非晶硅层和第二非晶硅层之间与非晶硅层构成三明治结构。 

本实用新型的有益效果：本实用新型的将非晶硅层和NI原子层做成三明治结构，在其中间用溅射设备将金属蒸镀、结晶化时，没有反应的金属会隐藏到内部，这样可以减少晶体管的漏电流，可制造出稳定、有效率的有源矩阵有机发光二极管用TFT。 

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。 

图2是制作工序中步骤b1后的TFT结构示意图。 

图3是制作工序中步骤b2后的TFT结构示意图。 

图4是制作工序中步骤b3后的TFT结构示意图。 

图5是制作工序中步骤b4后的TFT结构示意图。 

图6是制作工序中步骤b6后的TFT结构示意图。 

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步的说明。