[实用新型]离子注入装置的基板传输结构有效
| 申请号： | 201320034834.5 | 申请日： | 2013-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN203055883U | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李惠元;赵大庸 | 申请（专利权）人： | 四川虹视显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01J37/317 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 孙恩源 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种能够在缩短工序时间的同时保证离子注入均匀度的离子注入装置的基板传输结构，其包括布置在同一平面上的至少两组轨道及对应可沿轨道移动的基板输送装置，各条轨道在与所述离子注入装置对应的离子注入工位交会，各条轨道的送进工位相互平行并间隔设置，各条轨道的送出工位也相互平行并间隔设置。所述的基板输送装置由多个首尾相连且可彼此相对转动的节状部件组成，基板固定结构通过中心支座与基板输送装置连接。本实用新型可以向离子注入装置内同时送进两块以上的基板，但各块基板与离子注入装置之间的距离保持不变，离子注入均匀度有保证，同时减少了抽真空次数，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 装置 传输 结构 | ||
【主权项】：
离子注入装置的基板传输结构，包括布置在同一平面上的至少两组轨道（5）及对应可沿轨道（5）移动的基板输送装置（4），其特征是：所述的各条轨道（5）在与所述离子注入装置（1）对应的离子注入工位（10）交会。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
