[实用新型]离子注入装置的基板传输结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种离子注入装置，尤其是一种离子注入装置的基板传输结构。

背景技术

半导体基板制造过程中包括引入不纯物形成掺杂的工艺，所引入的不纯物成分会与半导体物质适当结合形导电体,从而改变半导体物质的导电率。

把掺杂剂导入到半导体基板的通常的方法就是离子注入。离子注入是利用离子能够穿过固体表面的巨大能量，将不纯物原子注入到表面内，形成不纯物层的工序。离子注入系统能在固体表面上调节离子射束能量、离子射束质量、离子射束电荷量及注入深度等注入工序中的重要参数，能够准确控制不纯物的原子数和调节结合深度。

离子注入后一般要进行高温热处理，以消除离子注入时的损伤，并对注入的不纯物进行活性化，调节不纯物成分的分布形状，减少侧面扩散，保障其均匀性。

目前，大部分的离子注入设备都采用单张基板送进方式，基板一张一张的送进到离子注入装置中，暴露在离子束前，进行离子注入后再送出。这样的基板送进方式存在的缺陷是：每次基板送进时及送出时，离子注入装置都会破真空，在下一块基板送入后，需要再重新抽真空，工序时间太长。

为缩短工序时间，出现了一次将两张基板送进到离子注入装置中的基板送进方式。这种送进方式是将两块平行间隔布置的基板一次性地送进到离子注入装置中，前一块基板进行离子注入后，移开，将后一块基板暴露在离子束前，进行离子注入，再将两块基板再同时送出。与单张送进方式相比，这种基板送进方式下每两块基板就可减少一次抽真空操作的时间，但其存在的缺陷是：前后两块基板与离子注入装置之间的距离发生了变化，导致基板的离子注入均匀度下降。

用于上述的两种送进方式的基板传输结构是相似的，都是在一根平轨上设置有可沿平轨移动的基板输送装置，基板输送装置上设置有基板固定装置，平轨上间隔设置有三个工位，分别是送进工位、离子注入工位和送出工位，所不同的是后一种送进方式下，其平轨有是平行布置的两根，相应的基板输送装置有两个。

实用新型内容

为了克服现有基板传输结构要么工序时间长，要么离子注入均匀度下降的不足，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种能够在缩短工序时间的同时保证离子注入均匀度的离子注入装置的基板传输结构。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：离子注入装置的基板传输结构，包括布置在同一平面上的至少两组轨道及对应可沿轨道移动的基板输送装置，所述的各条轨道在与所述离子注入装置对应的离子注入工位交会。

所述各条轨道的送进工位相互平行并间隔设置。

所述各条轨道的送出工位相互平行并间隔设置。

所述的基板输送装置由至少三个首尾相连且可彼此相对转动的节状部件组成，基板固定结构通过中心支座与基板输送装置连接。

所述中心支座位于中间的节状部件上。

本实用新型的有益效果是：可以向离子注入装置内同时送进两块以上的基板，但各块基板与离子注入装置之间的距离保持不变，离子注入均匀度有保证，同时减少了抽真空次数，提高了生产效率。

附图说明

图1是单板送进的传统离子注入装置的基板传输结构的示意图。

图2是现有同时送进两块基板的离子注入装置的基板传输结构的示意图。

图3是本实用新型的离子注入装置的基板传输结构的示意图。

图4是用于图3中所示传输结构的轨道的布置图。

图5是用于图3中所示传输结构的基板输送装置的示意图。

图6是图5的左视图。

图中标记为，1-离子注入装置，2-基板，3-直轨，4-基板输送装置，5-轨道，6-节状部件，7-中心支座，8-基板固定结构，9-送进工位，10-离子注入工位，11-送出工位，13-共用轨道，51-第一轨道，52-第二轨道，53-第三轨道。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型进一步说明。

如图1、图2所示，现有的离子注入装置中，无论是采用单板送进方式还是采用多板同时送进方式，其使用的基板传输结构都是“直轨+基板输送装置”。

如图1所示，现有的单板送进方式下，其离子注入工位是统一的，离子注入均匀度有保证，但是抽真空次数多，浪费时间。

如图2所示，现有的多板送进方式下，各条直轨的离子注入工位是不重合的，因此会产生基板的离子注入均匀度下降的问题。