[发明专利]一种改善晶圆腐蚀均匀性装置及方法有效
| 申请号： | 201310753151.X | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103700610B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 冯晓敏;史彦慧;吴仪 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,陶金龙 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善晶圆腐蚀均匀性装置及方法，包括晶圆载具，所述晶圆载具包括旋转机构及固定机构，所述晶圆载具上端承载晶圆；所述晶圆载具下端设有至少一个扇形部件，所述晶圆载具可旋转并带动晶圆或扇形部件，所述扇形部件与晶圆半径一致且与晶圆位于同心轴上，所述扇形部件表面上设有可向晶圆背面垂直喷射液体的喷射孔，所述喷射孔按照扇形部件从圆心到圆弧的方向分为不同的扇区，所述每个扇区的喷射孔独立连接供喷射液体通过的管道，所述管道上设有可控制喷射液体通过的时间或/和流量的阀。本发明结构简单、操作简易，改善了晶圆中间薄、边缘厚的现象，最终达到晶圆腐蚀均匀的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 腐蚀 均匀 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种改善晶圆腐蚀均匀性装置，包括晶圆载具，所述晶圆载具包括旋转机构及固定机构，所述晶圆载具上端承载晶圆，其特征在于，所述晶圆载具下端设有至少一个扇形部件，所述晶圆载具可旋转并带动晶圆或扇形部件，所述扇形部件与晶圆半径一致且与晶圆位于同心轴上，所述扇形部件表面上设有可向晶圆背面垂直喷射液体的喷射孔，所述喷射孔按照扇形部件从圆心到圆弧的方向分为不同的扇区，每个扇区的喷射孔独立连接供喷射液体通过的管道，所述管道上设有可控制喷射液体通过的时间或/和流量的阀，所述每个扇区的喷射孔连接两路管道，两路管道上分别设有可控制喷射液体通过的阀,所述喷射孔的大小按照扇形部件从圆心到圆弧的方向逐渐变大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
