[发明专利]一种改善晶圆腐蚀均匀性装置及方法

权利要求书

1.一种改善晶圆腐蚀均匀性装置，包括晶圆载具，所述晶圆载具包括旋转机构及固定机构，所述晶圆载具上端承载晶圆，其特征在于，所述晶圆载具下端设有至少一个扇形部件，所述晶圆载具可旋转并带动晶圆或扇形部件，所述扇形部件与晶圆半径一致且与晶圆位于同心轴上，所述扇形部件表面上设有可向晶圆背面垂直喷射液体的喷射孔，所述喷射孔按照扇形部件从圆心到圆弧的方向分为不同的扇区，所述每个扇区的喷射孔独立连接供喷射液体通过的管道，所述管道上设有可控制喷射液体通过的时间或/和流量的阀。

2.根据权利要求1所述的改善晶圆腐蚀均匀性装置，其特征在于，所述每个扇区的喷射孔连接两路管道，两路管道上分别设有可控制喷射液体通过的阀。

3.根据权利要求1所述的改善晶圆腐蚀均匀性装置，其特征在于，所述晶圆安装在旋转机构上，所述扇形部件安装在固定机构上。

4.根据权利要求1所述的改善晶圆腐蚀均匀性装置，其特征在于，所述扇形部件安装在旋转机构上，所述晶圆安装在固定机构上。

5.根据权利要求1所述的改善晶圆腐蚀均匀性装置，其特征在于，所述喷射孔在扇形部件表面均匀分布。

6.根据权利要求1～5任一所述的改善晶圆腐蚀均匀性装置，其特征在于，所述扇形部件水平轴中心的反方向设有条状体，所述条状体与扇形部件的圆心处连接，所述条状体上设有若干用于干燥气体通过的干燥孔。

7.根据权利要求5所述的改善晶圆腐蚀均匀性装置，其特征在于，所述条状体的长度与晶圆半径一致。

8.一种改善晶圆腐蚀均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一S1：提供待均匀的半导体晶圆；

步骤二S2：预设喷射液体通过每个扇区管道的时间，对晶圆背面喷射液体的时间按照扇形部件从圆心到圆弧的方向逐渐变长；或/和预设喷射液体通过每个扇区管道的流量，对晶圆背面喷射液体的流量按照扇形部件从圆心到圆弧的方向逐渐变大；

步骤三S3：打开如权利要求1～7任一所述的改善晶圆腐蚀均匀性装置中每个扇区管道上的阀；

步骤四S4：根据预设的时间或/和流量，对晶圆背面进行液体喷射，所述喷射孔喷射液体的温度按照扇形部件从圆心到圆弧的方向逐渐增高。

步骤五S5：关闭管道上的阀，完成晶圆表面腐蚀均匀。

9.根据权利要求8所述的改善晶圆腐蚀均匀性的方法，其特征在于，所述步骤二S2中每个扇区包括两路管道，第一管道上的阀用于控制热喷射液，第二管道上的阀用于控制冷喷射液；其中所述热喷射液通过的流量恒定，所述冷喷射液通过的流量按照扇形部件从圆心到圆弧的方向逐渐变小。

10.根据权利要求8所述的改善晶圆腐蚀均匀性的方法，其特征在于，所述步骤四S4中，还包括供干燥气体通过的干燥孔对晶圆背面进行气体干燥。