[发明专利]ICP等离子体处理腔室及其气体注入装置，硅通孔刻蚀方法在审
| 申请号： | 201310751344.1 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752191A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王洪青;黄智林 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种ICP等离子体处理腔室及其气体注入装置，硅通孔刻蚀方法。其中，所述电感耦合型等离子体处理腔室包括一柱状腔室，所述气体注入装置是环状的，其设置于所述电感耦合型等离子处理腔室腔室侧壁外围上方，所述气体注入装置包括上下两层结构，在所述上下两层结构之中分别设置有贯穿至腔室内部的第一气体注入口和第二气体注入口，以向腔室内部供应制程反应气体。本发明能够稳定腔室内压力，提高刻蚀终点测试的准确性，以及保证刻蚀图形质量。 | ||
| 搜索关键词： | icp 等离子体 处理 及其 气体 注入 装置 硅通孔 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种用于所述电感耦合型等离子处理腔室的气体注入装置，其中，所述电感耦合型等离子体处理腔室包括一柱状腔室，其特征在于，所述气体注入装置是环状的，其设置于所述电感耦合型等离子处理腔室腔室侧壁外围上方，所述气体注入装置包括上下两层结构，在所述上下两层结构之中分别设置有贯穿至腔室内部的第一气体注入口和第二气体注入口，以向腔室内部供应制程反应气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
