[发明专利]ICP等离子体处理腔室及其气体注入装置，硅通孔刻蚀方法在审
| 申请号： | 201310751344.1 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752191A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王洪青;黄智林 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | icp 等离子体 处理 及其 气体 注入 装置 硅通孔 刻蚀 方法 | ||
1.一种用于所述电感耦合型等离子处理腔室的气体注入装置，其中，所述电感耦合型等离子体处理腔室包括一柱状腔室，其特征在于，所述气体注入装置是环状的，其设置于所述电感耦合型等离子处理腔室腔室侧壁外围上方，所述气体注入装置包括上下两层结构，在所述上下两层结构之中分别设置有贯穿至腔室内部的第一气体注入口和第二气体注入口，以向腔室内部供应制程反应气体。
2.根据权利要求1所述的气体注入装置，其特征在于：所述第一气体注入口和第二气体注入口分别向腔室内部供应第一反应气体和第二反应气体。
3.根据权利要求2所述的气体注入装置，其特征在于：所述第一反应气体为刻蚀气体，所述第二反应气体为侧壁沉积气体。
4.根据权利要求3所述的气体注入装置，其特征在于：所述刻蚀气体和侧壁沉积气体交替循环地通入腔室内部，其中，所述刻蚀气体和所述侧壁沉积气体的执行时间是相同的。
5.根据权利要求4所述的气体注入装置，其特征在于：所述刻蚀气体在每次侧壁沉积气体还在持续供应时通入腔室。
6.根据权利要求5所述的气体注入装置，其特征在于：所述刻蚀气体为C4F8，侧壁沉积气体为SF6。
7.一种所述电感耦合型等离子处理腔室，所述电感耦合型等离子体处理腔室包括一柱状腔室，其特征在于：所述电感耦合型等离子处理腔室包括权利要求1至6任一项所述的气体注入装置，所述气体注入装置是环状的，其设置于所述电感耦合型等离子处理腔室腔室侧壁外围上方。
8.一种在电感耦合型等离子体处理腔室中执行的硅通孔刻蚀方法，所述电感耦合型等离子处理腔室包括权利要求1至6任一项所述的气体注入装置，其特征在于：所述硅通孔刻蚀方法包括包括多次重复执行的制程循环步骤，所述制程循环步骤包括刻蚀步骤和侧壁沉积步骤，执行刻蚀步骤时通入刻蚀气体，执行侧壁沉积步骤时通入侧壁沉积气体，所述刻蚀气体和所述侧壁沉积气体的执行时间是相同的，所述刻蚀气体在每次侧壁沉积气体还在持续供应时通入腔室。
9.根据权利要求8所述的硅通孔刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀气体和侧壁沉积气体通入的重叠时间的取值范围为小于200ms。
10.根据权利要求8所述的硅通孔刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀气体为C4F8，侧壁沉积气体为SF6。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）有限公司;，未经中微半导体设备（上海）有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310751344.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成电路的阱的制造方法
- 下一篇：金属栅极的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
