[发明专利]一种晶体位错腐蚀检测方法

摘要

本发明公开了一种晶体位错腐蚀检测方法，属于缺陷腐蚀检测技术领域，主要技术方案包括以下步骤：将样品待测面处理到预定的表面光洁度；对样品的观测点进行确定并标识；对样品除观测点以外的表面进行涂覆；将涂覆好的样品进行抛光；将抛光好的样品进行清洗；对样品除观测点以外的表面补充涂覆；将涂覆好的样品进行腐蚀；将腐蚀好的样品进行清洗；对样品观测点进行位错测量，并计算出样品的位错密度。采用本方法对晶体进行位错检测，实现了位错测试中温度的有效控制，腐蚀效果好，同时腐蚀液使用量和晶体的腐蚀量大大降低。

主权项

一种晶体位错腐蚀检测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：按照相应晶体的国际标准或行业标准的要求，将样品待测面处理到规定的表面光洁度，若无相应标准，则表面光洁度应优于1.6μm；步骤S2：在样品待测面确定需要进行位错检测的观测点并标识；步骤S3：将样品除标识的观测点外的其余表面全部或部分涂覆一层保护膜，涂敷完成后，观测点无遮挡；步骤S4：将样品放入抛光液中进行抛光或将抛光液滴到样品观测点上进行抛光；步骤S5：用去离子水将抛光后的样品清洗干净；步骤S6：对样品待测面进行观测，涂覆层残缺不全或涂覆层不抗腐蚀液的，对涂覆层进行修补或重新涂覆；步骤S7：将样品放入腐蚀液中进行腐蚀或将腐蚀液滴到样品观测点上进行腐蚀；步骤S8：用去离子水将腐蚀后的样品清洗干净；步骤S9：对腐蚀清洗好的样品观测点进行观察，通过测量观测点的位错数量计算出样品的位错密度。