[发明专利]像素结构有效
| 申请号： | 201310733619.9 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103676385A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 徐向阳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/133 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种像素结构，结构简单，其采用存储电容Cst的一个电极与栅极线共电位的结构设计，即在不减少开口率的情况下，采用两条（或三条）栅极线结构，其中一条用于将像素电极上的电压提前一行扫描时间置于基准电压，同时，也利用其与另一像素结构的像素电极部分重叠来提供存储电容，进而缩短像素单元的充电时间，提高像素单元的充电速率。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 | ||
【主权项】：
一种像素结构，其特征在于，包括：一基板（10）；一数据线（11）、一第一栅极线（21）、一第二栅极线（22）及一公共电极线（31），所述数据线（11）、第一栅极线（21）、第二栅极线（22）及公共电极线（31）配置于该基板（10）上，所述公共电极线（31）位于第一栅极线（21）与第二栅极线（22）之间；以及一像素单元（40），该像素单元（40）包括：第一薄膜晶体管（42）、第二薄膜晶体管（44）以及像素电极（46），该第一薄膜晶体管（42）分别与数据线（11）、第二栅极线（22）、及像素电极（46）电性连接，所述第二薄膜晶体管（44）分别与公共电极线（31）、第一栅极线（21）、及像素电极（46）电性连接；所述第一栅极线（21）用于控制所述第二薄膜晶体管（44），以控制像素电极（46）提前一行扫描时间对公共电极线（31）进行放电。
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