[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

一基板（10）；

一数据线（11）、一第一栅极线（21）、一第二栅极线（22）及一公共电极线（31），所述数据线（11）、第一栅极线（21）、第二栅极线（22）及公共电极线（31）配置于该基板（10）上，所述公共电极线（31）位于第一栅极线（21）与第二栅极线（22）之间；以及

一像素单元（40），该像素单元（40）包括：第一薄膜晶体管（42）、第二薄膜晶体管（44）以及像素电极（46），该第一薄膜晶体管（42）分别与数据线（11）、第二栅极线（22）、及像素电极（46）电性连接，所述第二薄膜晶体管（44）分别与公共电极线（31）、第一栅极线（21）、及像素电极（46）电性连接；

所述第一栅极线（21）用于控制所述第二薄膜晶体管（44），以控制像素电极（46）提前一行扫描时间对公共电极线（31）进行放电。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素单元（40）的像素电极（46）与位于该像素单元（40）正下方的另一像素结构的第一栅极线（21）部分（24）重叠，从而形成该像素单元（40）的存储电容。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括一配置于该基板（10）上的第三栅极线（23），所述第三栅极线（23）位于所述第一栅极线（21）、第二栅极线（22）及公共电极线（31）的同一侧，且与所述像素电极（46）部分（25）重叠，以形成该像素单元（40）的存储电容，该第三栅极线（23）上具有与第一栅极线（21）相同的信号。

4.如权利要求2或3所述的像素结构，其特征在于，所述第二栅极线（22）用于为所述像素单元（40）提供扫描信号，所述第一薄膜晶体管（42）根据所述扫描信号将数据线（11）的数据信号存储至存储电容。

5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述第一薄膜晶体管（42）具有第一栅极（g1）、第一源极（s1）及第一漏极（d1），所述第一栅极（g1）与所述第二栅极线（22）相连接，所述第一源极（s1）与所述数据线（11）相连接，所述第一漏极（d1）与所述像素电极（46）通过过孔（60）相连接。

6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述公共电极线（31）用于为所述像素单元（40）提供一基准电压，所述第一栅极线（21）用于提供一控制信号，以使所述像素单元（40）中的第二薄膜晶体管（44）提前一行扫描时间开启，进而提前一行扫描时间将所述像素电极（46）上的电压置于基准电压。

7.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述第二薄膜晶体管（44）具有第二栅极（g2）、第二源极（s2）及第二漏极（d2），所述第二栅极（g2）与所述第一栅极线（21）相连接，所述第二源极（s2）与所述公共电极线（31）相连接，所述第二漏极（d2）与所述像素电极（46）相连接。

8.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，所述第二源极（s2）与所述公共电极线（31）通过过孔（60）相连接，所述第二漏极（d2）与所述像素电极（46）通过过孔（60）相连接。

9.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极（46）为一透明导电层，所述像素电极（46）由氧化铟锡沉积形成。

10.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，应用所述像素结构的液晶显示面板为TN型液晶显示面板或PVA型液晶显示面板。