[发明专利]光刻工艺的曝光方法及系统

摘要

本发明涉及一种光刻工艺的曝光方法及系统，该方法将获取掩膜图案的相位全息信息通过全息再现光学系统再现形成掩膜图像，并将掩膜图像聚焦在待曝光的基板上。在曝光光源与基板之间设置有能够遮挡掩膜图像中心亮斑的掩板。曝光光源在对基板进行一次曝光后，通过移动基板，使曝光光源对基板一次曝光时未曝光的区域进行补偿曝光。这种掩膜图像能够替代传统光刻工艺中所使用的掩膜版。其与传统光刻工艺相比，不需要掩膜版和现有的复杂掩膜版制作工艺，能够大大降低光刻成本。此外，根据设计的掩膜图案快速转换成相位全息信息，载入全息再现光学系统，并对基板进行成像曝光，还能够减少新产品从设计到验证阶段的时间，提高新产品的开发效率。

主权项

一种光刻工艺的曝光方法，其特征在于，包括如下步骤：获取掩膜图案的相位全息信息；将掩膜图案的相位全息信息通过全息再现光学系统再现，并形成掩膜图像；将掩膜图像聚焦在待曝光的基板上；在曝光光源与基板之间设置掩板，调节掩板位置并使掩板能够遮挡掩膜图像的中心亮斑；曝光光源照射掩板及掩膜图像，对基板进行一次曝光；及，将基板移动一定距离，曝光光源照射掩板及掩膜图像，并对基板未曝光的区域进行补偿曝光。