[发明专利]光刻工艺的曝光方法及系统

权利要求书

1.一种光刻工艺的曝光方法，其特征在于，包括如下步骤：

获取掩膜图案的相位全息信息；

将掩膜图案的相位全息信息通过全息再现光学系统再现，并形成掩膜图像；

将掩膜图像聚焦在待曝光的基板上；

在曝光光源与基板之间设置掩板，调节掩板位置并使掩板能够遮挡掩膜图像的中心亮斑；

曝光光源照射掩板及掩膜图像，对基板进行一次曝光；及，

将基板移动一定距离，曝光光源照射掩板及掩膜图像，并对基板未曝光的区域进行补偿曝光。

2.根据权利要求1所述光刻工艺的曝光方法，其特征在于，所述掩板包括边框及跨接在所述边框上的挡光板，所述挡光板将所述边框所围成的区域分为能够透光的透光区域以及能够遮光的遮光区域。

3.根据权利要求2所述光刻工艺的曝光方法，其特征在于，所述挡光板的中轴线与所述边框的中轴线重合或平行。

4.根据权利要求2或3所述光刻工艺的曝光方法，其特征在于，所述挡光板将所述边框所围成的区域分为面积相等的第一透光区域、第二透光区域及遮光区域。

5.根据权利要求1所述光刻工艺的曝光方法，其特征在于，所述获取掩膜图案的相位全息信息的步骤包括：

将掩膜图案的各点分别赋予灰度值，并转换为计算机能够识别的二值平面灰度阵列图像；及，

将二值平面灰度阵列图像通过傅立叶变换迭代计算，形成掩膜图案的相位全息信息。

6.根据权利要求1所述光刻工艺的曝光方法，其特征在于，所述将掩膜图案的相位全息信息通过全息再现光学系统再现，并形成掩膜图像的步骤包括：

根据全息再现方式建立全息再现光学系统；

将掩膜图案的相位全息信息通过空间光调制器调制后形成掩膜图案的相位全息图；及，

相干光光源照射掩膜图案的相位全息图，经过全息再现后形成掩膜图像。

7.一种光刻工艺的曝光系统，其特征在于，包括：

运算处理模块，用于获取掩膜图案的相位全息信息；

全息再现光学系统，用于将运算处理模块中获取的掩膜图案的相位全息信息再现，并形成掩膜图像；所述全息再现光学系统与所述运算处理模块电性连接；及，

曝光处理模块，用于对基板进行一次曝光及补充曝光；所述曝光处理模块包括用于基板曝光的曝光光源、用于遮挡掩膜图像中心亮斑的掩板及用于承载并移动基板的工作台，所述掩板设置在所述曝光光源与所述基板之间。

8.根据权利要求7所述光刻工艺的曝光系统，其特征在于，所述全息再现光学系统包括：相干光光源、光学透镜及相位调制空间光调制器。

9.根据权利要求7所述光刻工艺的曝光系统，其特征在于，

所述全息再现光学系统还包括：横向依次设置的相干光光源、扩束准直镜、起偏器、光阑、分光棱镜及反射式相位调制空间光调制器，且所述相干光光源、所述扩束准直镜、所述起偏器、所述光阑、所述分光棱镜及所述反射式相位调制空间光调制器的光学中心位于同一光轴上；及，

所述全息再现光学系统还包括：垂直于所述分光棱镜的光学透镜及位于所述分光棱镜与所述光学透镜之间的检偏器，且所述分光棱镜、所述检偏器及所述光学透镜的光学中心位于同一光轴上。