[发明专利]一种高效扩散的方法有效
| 申请号： | 201310719747.8 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103715301A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李旺;韩玮智;牛新伟;王仕鹏;黄海燕;陆川 | 申请（专利权）人： | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 冯谱 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高效扩散的方法，该方法包括如下步骤：将硅片置于扩散炉中，通入含有磷源的气体，对所述硅片进行第一次扩散；对所述硅片的方阻进行检测，当所述硅片的方阻值比预定值低4Ω/□～8Ω/□时，在690℃～720℃的温度下，对所述硅片进行第二次扩散；在氮气保护下，对所述硅片进行出炉操作。采用本发明提供的方法，扩散后得到硅片表面掺杂浓度低，表面复合小，太阳能电池的光电转换效率可以得到显著的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种高效扩散的方法，其特征在于，包括如下步骤：a）将硅片置于扩散炉中，通入含有磷源的气体，对所述硅片进行第一次扩散；b）对所述硅片的方阻进行检测，当所述硅片的方阻值比预定值低4Ω/□～8Ω/□时，在690℃～720℃的温度下，对所述硅片进行第二次扩散；c）在氮气保护下，对所述硅片进行出炉操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
