[发明专利]实现沟槽场效应晶体管源极接触槽自对准结构的方法

摘要

本发明公开了一种实现沟槽场效应晶体管源极接触槽自对准结构的方法，包括：1）在硅衬底上淀积第一氧化膜作为沟槽刻蚀阻挡层；2）对沟槽刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成碗状结构后，刻蚀形成沟槽；3）形成栅极氧化膜和栅极多晶硅，回刻栅极多晶硅；4）定义出接触槽的位置并刻蚀，开出源极接触槽；5）淀积第二氧化膜；6）将第二氧化膜刻蚀至栅极多晶硅表面；7）将栅极多晶硅刻蚀至硅衬底表面；8）刻蚀硅衬底表面的氧化膜；9）完成体注入层和源极注入层；10）形成层间介质层，定义出源极接触槽在层间介质层中的部分；11）形成源极接触槽的金属阻挡层、钨塞和金属层。本发明有效提高接触槽的对准工艺窗口，提高产品集成度。

主权项

一种实现沟槽场效应晶体管源极接触槽自对准结构的方法，其特征在于，包括步骤：1）在硅衬底上淀积第一氧化膜作为沟槽刻蚀阻挡层；2）对沟槽刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成碗状结构后，再用干法刻蚀形成沟槽；3）形成栅极氧化膜和栅极多晶硅，然后通过干法刻蚀将栅极多晶硅回刻至沟槽刻蚀阻挡层表面；4）利用栅极多晶硅和沟槽刻蚀阻挡层之间的刻蚀选择比，使用干法刻蚀在沟槽刻蚀阻挡层中定义出接触槽的位置并刻蚀至露出硅衬底，然后，通过干法刻蚀，在硅衬底上开出源极接触槽；5）淀积第二氧化膜，以填满源极接触槽；6）使用湿法刻蚀将第二氧化膜刻蚀至栅极多晶硅表面；7）使用干法刻蚀将栅极多晶硅刻蚀至硅衬底表面；8）使用干法刻蚀将硅衬底表面的氧化膜刻蚀至剩余150～250埃；其中，氧化膜包括：第二氧化膜、栅极氧化膜和第一氧化膜；9）完成体注入层和源极注入层；10）形成层间介质层，并利用掩模版定义出源极接触槽在层间介质层中的部分；11）形成源极接触槽的金属阻挡层、钨塞和金属层。