[发明专利]实现沟槽场效应晶体管源极接触槽自对准结构的方法

权利要求书

1.一种实现沟槽场效应晶体管源极接触槽自对准结构的方法，其特征在于，包括步骤：

1）在硅衬底上淀积第一氧化膜作为沟槽刻蚀阻挡层；

2）对沟槽刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成碗状结构后，再用干法刻蚀形成沟槽；

3）形成栅极氧化膜和栅极多晶硅，然后通过干法刻蚀将栅极多晶硅回刻至沟槽刻蚀阻挡层表面；

4）利用栅极多晶硅和沟槽刻蚀阻挡层之间的刻蚀选择比，使用干法刻蚀在沟槽刻蚀阻挡层中定义出接触槽的位置并刻蚀至露出硅衬底，然后，通过干法刻蚀，在硅衬底上开出源极接触槽；

5）淀积第二氧化膜，以填满源极接触槽；

6）使用湿法刻蚀将第二氧化膜刻蚀至栅极多晶硅表面；

7）使用干法刻蚀将栅极多晶硅刻蚀至硅衬底表面；

8）使用干法刻蚀将硅衬底表面的氧化膜刻蚀至剩余150～250埃；

其中，氧化膜包括：第二氧化膜、栅极氧化膜和第一氧化膜；

9）完成体注入层和源极注入层；

10）形成层间介质层，并利用掩模版定义出源极接触槽在层间介质层中的部分；

11）形成源极接触槽的金属阻挡层、钨塞和金属层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1）中，淀积的方法包括：常压化学气相淀积；

第一氧化膜的材质包括：二氧化硅；

沟槽刻蚀阻挡层的厚度为5000～6000埃。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述沟槽刻蚀阻挡层的厚度为5000埃。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤2）中，刻蚀的方法为：先用湿法刻蚀3000～3500埃后，再用干法刻蚀2000～2500埃的方法进行刻蚀；

碗状结构的底部宽度依赖于掩模版上对沟槽宽度的设计尺寸；

沟槽的深度为1.5～1.7微米。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤4）中，源极接触槽的深度为0.35～0.4微米。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤5）中，淀积的方法包括：化学气相淀积方法；

第二氧化膜的材质包括：二氧化硅；

第二氧化膜的厚度要求大于沟槽宽度的二分之一。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述淀积的方法为低压化学气相淀积和等离子体增强化学气相淀积的方法。