[发明专利]一种传感器非敏感区域保护薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310705757.6 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103626120A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 戴鹏飞;李铁;高安然;鲁娜;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01N27/414 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 发明公开了一种传感器非敏感区域保护薄膜的制备方法，包括以下步骤，提供一设有硅纳米线的硅片；在所述硅片上依次生长具有第一厚度的第一Si3N4薄膜、SiO2薄膜以及具有第二厚度的第二Si3N4薄膜；所述第二厚度大于第一厚度；进行光刻工艺，将所述第二Si3N4薄膜图形化，形成窗口，沿所述窗口刻蚀暴露的所述硅纳米线上方的第二Si3N4薄膜区域至暴露出该第二Si3N4薄膜区域下方的SiO2薄膜；继续刻蚀；去除所述其余第二Si3N4薄膜区域覆盖的光刻胶；接着置于浓磷酸中，腐蚀掉硅纳米线上方的第一Si3N4薄膜，暴露出所述硅纳米线。该方法确保了传感器可以在液体环境中进行检测；硅纳米线不会受到损伤，而在后续敏感膜修饰时，生物基团也可以有选择性地吸附在敏感区域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 传感器 敏感区域 保护 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种传感器非敏感区域保护薄膜的制备方法，其特征在于：该制备方法包括以下步骤，1）提供一设有硅纳米线的硅片；2）在所述硅片上生长具有第一厚度的第一Si3N4薄膜；3）在所述第一Si3N4薄膜上生长SiO2薄膜；4）在所述SiO2薄膜上生长具有第二厚度的第二Si3N4薄膜；所述第二厚度大于第一厚度；5）进行光刻工艺，将所述第二Si3N4薄膜图形化，形成窗口，使得所述硅纳米线上方的第二Si3N4薄膜区域暴露出来；其余第二Si3N4薄膜区域覆盖光刻胶；6）沿所述窗口刻蚀暴露的所述硅纳米线上方的第二Si3N4薄膜区域至暴露出该第二Si3N4薄膜区域下方的SiO2薄膜；7）继续刻蚀所述硅纳米线上方的SiO2薄膜；8）去除所述其余第二Si3N4薄膜区域覆盖的光刻胶；9）将步骤8）获得的结构置于浓磷酸中，腐蚀掉硅纳米线上方的第一Si3N4薄膜，暴露出所述硅纳米线。
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