[发明专利]一种传感器非敏感区域保护薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种传感器非敏感区域保护薄膜的制备方法，其特征在于：该制备方法包括以下步骤，

1）提供一设有硅纳米线的硅片；

2）在所述硅片上生长具有第一厚度的第一Si₃N₄薄膜；

3）在所述第一Si₃N₄薄膜上生长SiO₂薄膜；

4）在所述SiO₂薄膜上生长具有第二厚度的第二Si₃N₄薄膜；所述第二厚度大于第一厚度；

5）进行光刻工艺，将所述第二Si₃N₄薄膜图形化，形成窗口，使得所述硅纳米线上方的第二Si₃N₄薄膜区域暴露出来；其余第二Si₃N₄薄膜区域覆盖光刻胶；

6）沿所述窗口刻蚀暴露的所述硅纳米线上方的第二Si₃N₄薄膜区域至暴露出该第二Si₃N₄薄膜区域下方的SiO₂薄膜；

7）继续刻蚀所述硅纳米线上方的SiO₂薄膜；

8）去除所述其余第二Si₃N₄薄膜区域覆盖的光刻胶；

9）将步骤8）获得的结构置于浓磷酸中，腐蚀掉硅纳米线上方的第一Si₃N₄薄膜，暴露出所述硅纳米线。

2.根据权利要求1所述的传感器非敏感区域保护薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤6）中的刻蚀为干法刻蚀，所述步骤7）中的刻蚀为湿法刻蚀。

3.根据权利要求1所述的传感器非敏感区域保护薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一厚度为90-110nm。

4.根据权利要求1所述的传感器非敏感区域保护薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二厚度为630-770nm。

5.根据权利要求1所述的传感器非敏感区域保护薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3）中生长的SiO₂薄膜厚度为180-220nm。

6.根据权利要求1所述的传感器非敏感区域保护薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤7）中继续刻蚀所述硅纳米线上方的SiO₂薄膜的具体步骤为：将硅片置于35℃ BOE溶液中腐蚀60秒，去除所述硅纳米线上方的SiO₂薄膜。

7.根据权利要求3所述的传感器非敏感区域保护薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3）中生长的SiO₂薄膜厚度为具有第二厚度的第二Si₃N₄薄膜20%～40%。