[发明专利]一种制备晶硅电池金属电极的方法有效
申请号: | 201310701975.2 | 申请日: | 2013-12-19 |
公开(公告)号: | CN103779431A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 成文;杨晓生 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 一种制备晶硅电池金属电极的方法,该方法是通过激光器的激光束加热处于激光器下方的浆料传送带上的浆料,使浆料通过浆料传送带的网孔转移至浆料传送带下方的晶硅电池表面上,在晶硅电池表面沉积金属电极。本发明方法制备的光伏电池金属电极正面栅线宽度可小于20μm,高度可到10—15μm,图形精度高达5μm,远高于丝网印刷25μm的图形精度。通过激光转移技术将银墨水转移到发射极,可以形成比传统丝网印刷技术更精细的电极结构和更优越的高宽比,其在商业化高效晶硅电池领域有很大的应用潜力,是制作电池正表面电极栅线技术的主流发展趋势。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 电池 金属电极 方法 | ||
【主权项】:
一种制备晶硅电池金属电极的方法,其特征在于,所述方法是通过激光器的激光束加热处于激光器下方的浆料传送带上的浆料,使浆料通过浆料传送带的网孔转移至浆料传送带下方的晶硅电池表面上,在晶硅电池表面沉积金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的