[发明专利]一种制备晶硅电池金属电极的方法有效
申请号: | 201310701975.2 | 申请日: | 2013-12-19 |
公开(公告)号: | CN103779431A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 成文;杨晓生 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 电池 金属电极 方法 | ||
1.一种制备晶硅电池金属电极的方法,其特征在于,所述方法是通过激光器的激光束加热处于激光器下方的浆料传送带上的浆料,使浆料通过浆料传送带的网孔转移至浆料传送带下方的晶硅电池表面上,在晶硅电池表面沉积金属电极。
2.如权利要求1所述方法,其特征在于,所述浆料传送带的网孔≥400目。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述浆料通过与浆料传送带连接的浆料存储装置涂覆于浆料传送带上。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法具体包括如下步骤:
(1)将计算机编辑好的金属电极图形导入激光器中;
(2)开启浆料传送带,同时开启浆料存储装置使浆料涂覆于浆料传送带上;
(3)将硅晶电池置于浆料传送带下方,并用激光器对准经过硅晶电池上方的浆料传送带;
(4)开启激光器,激光器的激光束根据步骤(1)中被导入的金属电极图形,在经过硅晶电池上方的浆料传送带上方移动,浆料传送带上被激光束射到之处的浆料被瞬间加热并通过浆料传送带的网孔转移到处于浆料传送带下方的硅晶电池上,沉积出金属电极;未被转移的浆料由浆料传送带送回浆料存储装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的