[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201310700837.2 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103887249A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 野上洋一;山本佳嗣;横山吉典;曾田真之介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于得到一种能够确保优良的耐湿性和高的机械强度的半导体装置及其制造方法。在基板（1）的主表面上形成场效应晶体管（2）。接着，在基板（1）的主表面和场效应晶体管（2）上涂敷熔点为450℃以下的低熔点玻璃膜（5）。接着，一边利用绝缘性或半绝缘性的加压夹具（6）将低熔点玻璃膜（5）朝向基板（1）的主表面加压，一边对基板（1）进行加热处理而烧结低熔点玻璃膜（5）。在烧结了低熔点玻璃膜（5）之后，原样地保留加压夹具（6）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：在基板的主表面上形成半导体元件的工序；以及在所述主表面和所述半导体元件上涂敷熔点为450℃以下的低熔点玻璃膜，一边利用绝缘性或半绝缘性的加压夹具将所述低熔点玻璃膜朝向所述基板的主表面加压，一边对所述基板进行加热处理而烧结所述低熔点玻璃膜的工序，在烧结了所述低熔点玻璃膜之后，原样地保留所述加压夹具。
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