[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201310700837.2 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103887249A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 野上洋一;山本佳嗣;横山吉典;曾田真之介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：
在基板的主表面上形成半导体元件的工序；以及
在所述主表面和所述半导体元件上涂敷熔点为450℃以下的低熔点玻璃膜，一边利用绝缘性或半绝缘性的加压夹具将所述低熔点玻璃膜朝向所述基板的主表面加压，一边对所述基板进行加热处理而烧结所述低熔点玻璃膜的工序，
在烧结了所述低熔点玻璃膜之后，原样地保留所述加压夹具。
2.一种半导体装置，其特征在于，具备：
基板，具有主表面；
半导体元件，形成在所述主表面上；
熔点为450℃以下的低熔点玻璃膜，配置在所述主表面和所述半导体元件上；以及
绝缘性或半绝缘性的加压夹具，配置在所述低熔点玻璃膜上。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述低熔点玻璃膜是钒类玻璃、铋类玻璃、铅类玻璃、铅氟类玻璃中的任意一种。
4.如权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，
所述基板是半导体基板或绝缘基板。
5.如权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
电极，形成在所述主表面上，并且与所述半导体元件连接；以及
开口部，贯通所述低熔点玻璃膜和所述加压夹具，使所述电极的一部分露出。
6.如权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
电极，形成在所述主表面上，并且与所述半导体元件连接；
通孔，贯通所述基板，使所述电极的一部分露出；以及
背面金属膜，形成在所述基板的背面侧，通过所述通孔与所述电极连接。
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