[发明专利]集成电路用掩模版金属残留缺陷修补方法

摘要

本发明涉及一种集成电路用掩模版金属残留缺陷修补方法，所述金属残留缺陷修补方法包括如下步骤：a.提供具有金属残留的基板，并在所述基板上涂覆保护膜层，所述保护膜层覆盖在金属残留上且覆盖在基板的金属层上；b.对金属残留正上方的保护膜层进行物理轰击，以去除金属残留正上方的保护膜层，使得基板上的金属残留裸露；c.通过保护膜层对金属层的保护作用下，腐蚀去除基板上的金属残留；d.去除金属层上的保护膜层，并对基板及金属层进行清洗。本发明工艺操作方便，能对金属残留进行有效快速清除，适应范围广，安全可靠。

主权项

一种集成电路用掩模版金属残留缺陷修补方法，其特征是，所述金属残留缺陷修补方法包括如下步骤：（a）、提供具有金属残留（4）的基板（1），并在所述基板（1）上涂覆保护膜层（5），所述保护膜层（5）覆盖在金属残留（4）上且覆盖在基板（1）的金属层（2）上；（b）、对金属残留（4）正上方的保护膜层（5）进行物理轰击，以去除金属残留（4）正上方的保护膜层（5），使得基板（1）上的金属残留（4）裸露；（c）、通过保护膜层（5）对金属层（2）的保护作用下，腐蚀去除基板（1）上的金属残留（4）；（d）、去除金属层（2）上的保护膜层（5），并对基板（1）及金属层（2）进行清洗。