[发明专利]集成电路用掩模版金属残留缺陷修补方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种修补工艺方法，尤其是一种集成电路用掩模版金属残留缺陷修补方法，属于集成电路的技术领域。 

背景技术

在半导体、集成电路、光伏产品等电子产品制造过程中，需要对以半导体晶片和光掩模板为代表的各种基板进行光刻处理，这些基板还包括液晶显示器、等离子体显示器用玻璃基板、磁盘、光磁盘母版等，以下统称为掩模版。在加工时，需要使用光致抗蚀材料（光刻胶）在基板上形成集成电路和半导体器件的布局图案或者其它电路图案和数据图案。基板完成曝光、显影、刻蚀、去胶、检测等加工工艺之后，需要对检测出来的缺陷进行修复，保证整个集成电路设计图形的完整性和一致性。由于缺陷的来源有多重原因且控制难度较大，尽管行业采取了很多的管制方法及工艺来减少缺陷，但是缺陷的生成，特别是高阶集成电路掩模版的缺陷形成依然是不可避免，这严重影响了掩模版本身的良率，也满足不了行业对掩模版本身制造所提出的时间及品质要求。 

目前，修补机是缺陷修复的普遍设备，通过修补机修补掩模版表面缺陷是掩模版制造企业通用的修复方法。业界通过的修补方法是通过激光束、电子束或者离子束的高能量直接轰击掩模版表面金属残留缺陷，可以快速地去除表面缺陷，但是由于缺陷之间的差异性，对于上述的各类能量束的精确控制显得尤为重要，因为上述的能量束对缺陷下方的石英层具有物理作用；当能量束的控制不恰当时，会造成石英损伤（QZ Damage）。 

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种集成电路用掩模版金属残留缺陷修补方法，其工艺操作方便，能对金属残留进行有效快速清除，适应范围广，安全可靠。 

按照本发明提供的技术方案，一种集成电路用掩模版金属残留缺陷修补方法，所述金属残留缺陷修补方法包括如下步骤： 

a、提供具有金属残留的基板，并在所述基板上涂覆保护膜层，所述保护膜层覆盖在金属残留上且覆盖在基板的金属层上；

b、对金属残留正上方的保护膜层进行物理轰击，以去除金属残留正上方的保护膜层，使得基板上的金属残留裸露；

c、通过保护膜层对金属层的保护作用下，腐蚀去除基板上的金属残留；

d、去除金属层上的保护膜层，并对基板及金属层进行清洗。

所述步骤a中，在基板上通过喷涂烘烤方式涂覆保护膜层，所述保护膜层的厚度为440nm~480nm，烘烤的温度为95℃~150℃，烘烤时间为25~30分钟。 

所述步骤b中，利用激光束对金属残留正上方的保护膜层进行物理轰击，其中，激光束的能量为35毫焦~40毫焦，轰击时间为3~4ns。 

在对保护膜层进行激光束物理轰击时，利用0.8μm~50μm孔径的可变孔径光阑来控制激光束的尺寸。 

所述步骤c中，利用Cr-3S溶液去除基板上裸露的金属残留。 

所述步骤d中，所述清洗步骤包括： 

d1、以浓H₂SO₄溶液、H₂O₂溶液的混合溶液进行初步清洗12~15分钟，其中，浓H₂SO₄溶液的浓度为95.5%~96.5%，H₂O₂溶液的浓度为29%~31%，浓H₂SO₄溶液与H₂O₂溶液混合的体积比为3:1~4:1，混合溶液的温度为80℃~90℃；

d2、以氨水、H₂O₂溶液、清水形成的混合溶液进行再次清洗12~15分钟，其中，氨水的浓度为28%~30%，H₂O₂溶液的浓度为29%~31%，氨水、H₂O₂溶液、清水混合的体积比为1:2:200，混合溶液的温度为35℃~45℃；

d3、利用清水对基板及金属层进行最后清洗。

本发明的优点： 

1、集成电路用掩模版表面金属残留缺陷修补的工艺方法是使用既有的工艺设备完成，勿须其它支撑性设备；

2、通过物理轰击表面所涂覆的化学物质方法是金属残留得以裸露，其轰击区域及范围可以随意控制，不会伤及下方的掩模设计图形，可以应对任何尺寸的金属残留缺陷；