[发明专利]一种新型半导体P、N类型非接触测试装置

摘要

本发明涉及一种新型半导体P、N类型非接触测试装置，包括传感器，用于激发半导体表面生成光生电荷并收集生成电荷信号传送给电荷放大器；电荷放大器，用于将接收的电荷信号进行放大生成放大电荷信号传送给整形放大器；整形放大器，用于将接收的放大电荷信号进行整形生成电平信号传送给控制器；控制器，用于驱动传感器、以及接收电平信号判断半导体的P、N类型。本发明传感器激发半导体表面诱发产生光生电荷并生成相应的电荷信号，电荷信号依次经过电荷放大器、整形放大器后传送给控制器，从而分别出半导体的P、N类型，采用红外激发二极管在感应距离不超过0.15mm也可达到较高的准确度，不需要直接与半导体接触。

主权项

一种新型半导体P、N类型非接触测试装置，其特征在于，包括：传感器，其输入端与下述控制器连接，其输出端与下述电荷放大器连接，用于激发半导体表面生成光生电荷并收集生成电荷信号传送给电荷放大器；电荷放大器，其输出端与下述整形放大器连接，用于将接收的电荷信号进行放大生成放大电荷信号传送给整形放大器；整形放大器，其输出端与下述控制器连接，用于将接收的放大电荷信号进行整形生成电平信号传送给控制器；控制器，其输出端与所述传感器输入端、所述整形放大器输出端连接，用于驱动所述传感器、以及接收所述电平信号判断半导体的P、N类型。