[发明专利]一种新型半导体P、N类型非接触测试装置

权利要求书

1. 一种新型半导体P、N类型非接触测试装置，其特征在于，包括：传感器，其输入端与下述控制器连接，其输出端与下述电荷放大器连接，用于激发半导体表面生成光生电荷并收集生成电荷信号传送给电荷放大器；

电荷放大器，其输出端与下述整形放大器连接，用于将接收的电荷信号进行放大生成放大电荷信号传送给整形放大器；

整形放大器，其输出端与下述控制器连接，用于将接收的放大电荷信号进行整形生成电平信号传送给控制器；

控制器，其输出端与所述传感器输入端、所述整形放大器输出端连接，用于驱动所述传感器、以及接收所述电平信号判断半导体的P、N类型。

2. 根据权利要求1所述的新型半导体P、N类型非接触测试装置，其特征在于，所述传感器包括壳体、以及设置于所述壳体内的红外激发二极管和电荷感应电极，所述红外激发二极管输入端与所述控制器输出端连接，所述电荷感应电极输出端与所述电荷放大器输入端连接。

3. 根据权利要求1或2所述的新型半导体P、N类型非接触测试装置，其特征在于，还包括第一LED灯和第二LED灯，所述第一LED灯和第二LED灯分别与所述控制器输出端连接。