[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

摘要

薄膜晶体管及其制造方法。公开了一种在基板上包括由与半导体层相同材料制成的光屏蔽层的薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管包括：基板；光屏蔽层和缓冲层，光屏蔽层和缓冲层顺序地形成在基板上；半导体层，其形成在缓冲层上并且由与光屏蔽层相同材料形成；栅绝缘膜和栅极，栅绝缘膜和栅极顺序地形成在半导体层上；层间绝缘膜，该层间绝缘膜形成在基板上以使得该层间绝缘膜覆盖栅极，层间绝缘膜包括分别露出半导体层的源区域和漏区域的源接触孔和漏接触孔；以及源极和漏极，源极和漏极通过源接触孔和漏接触孔电连接到半导体层。

主权项

一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：基板；光屏蔽层和缓冲层，所述光屏蔽层和所述缓冲层顺序地形成在所述基板上；半导体层，所述半导体层形成在所述缓冲层上，所述半导体层由与所述光屏蔽层相同的材料形成；栅绝缘膜和栅极，所述栅绝缘膜和所述栅极顺序地形成在所述半导体层上；层间绝缘膜，所述层间绝缘膜形成在所述基板上以使得所述层间绝缘膜覆盖所述栅极，所述层间绝缘膜包括分别露出所述半导体层的源区域和漏区域的源接触孔和漏接触孔；以及源极和漏极，所述源极和所述漏极通过所述源接触孔和所述漏接触孔电连接到所述半导体层。