[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310698030.X | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103972298A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李福永 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：
基板；
光屏蔽层和缓冲层，所述光屏蔽层和所述缓冲层顺序地形成在所述基板上；
半导体层，所述半导体层形成在所述缓冲层上，所述半导体层由与所述光屏蔽层相同的材料形成；
栅绝缘膜和栅极，所述栅绝缘膜和所述栅极顺序地形成在所述半导体层上；
层间绝缘膜，所述层间绝缘膜形成在所述基板上以使得所述层间绝缘膜覆盖所述栅极，所述层间绝缘膜包括分别露出所述半导体层的源区域和漏区域的源接触孔和漏接触孔；以及
源极和漏极，所述源极和所述漏极通过所述源接触孔和所述漏接触孔电连接到所述半导体层。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述光屏蔽层的边缘与所述半导体层的边缘一致。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述光屏蔽层形成在所述基板的整个表面上。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述光屏蔽层和所述半导体层由透明导电氧化物形成。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述光屏蔽层的厚度等于所述半导体层的厚度。
6.一种制造薄膜晶体管的方法，该方法包括以下步骤：
在基板上顺序地形成光屏蔽层和缓冲层；
在所述缓冲层上使用与所述光屏蔽层相同的材料形成半导体层；
在所述半导体层上顺序地形成栅绝缘膜和栅极；
在所述基板上形成层间绝缘膜以使得所述层间绝缘膜覆盖所述栅极，所述层间绝缘膜包括分别露出所述半导体层的源区域和漏区域的源接触孔和漏接触孔；以及
形成源极和漏极，所述源极和所述漏极通过所述源接触孔和所述漏接触孔电连接到所述半导体层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述光屏蔽层的边缘与所述半导体层的边缘一致。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述光屏蔽层形成在所述基板的整个表面上。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述光屏蔽层和所述半导体层由透明导电氧化物形成。
10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述光屏蔽层的厚度等于所述半导体层的厚度。
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