[发明专利]具有非线性表面的半导体器件在审
| 申请号： | 201310689575.4 | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104518025A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 陈晓萌;吴志强;刘世昌;陈建宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种半导体器件包括具有第一线性表面和第一非线性表面的沟道。第一非线性表面限定在约80度至约100度的第一外角和在约80度至约100度的第二外角。所述半导体器件包括覆盖位于源极区和漏极区之间的沟道的介电区。所述半导体器件包括覆盖位于源极区和漏极区之间的介电区的栅电极。本发明还公开了具有非线性表面（non-linear surface）的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 非线性 表面 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：沟道，具有第一线性表面和第一非线性表面，所述第一非线性表面限定约80度至约100度的第一外角以及约80度至约100度的第二外角；介电区，覆盖所述沟道；以及栅电极，覆盖所述介电区。
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