[发明专利]具有非线性表面的半导体器件在审
申请号: | 201310689575.4 | 申请日: | 2013-12-17 |
公开(公告)号: | CN104518025A | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | 陈晓萌;吴志强;刘世昌;陈建宏 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 非线性 表面 半导体器件 | ||
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,更具体地,涉及具有非线性表面(non-linear surface)的半导体器件。
背景技术
鳍式场效应晶体管是一种半导体器件,其基于将电压或偏压施加给器件的栅极,电流穿过器件的沟道在器件的源极区和漏极区之间流动。当电流流过沟道时,器件通常被认为是处于“开启”状态,而当电流不流过沟道时,器件通常被认为是处于“关闭”状态。
发明内容
本总结被提供为以简化方式介绍概念的选择,并进一步在下面的详细说明书中进行描述。本总结不旨在属于所要求保护主题的广泛概述,或识别所要求保护主题的关键因素或基本特征,也不旨在用于限制所要求保护主题的范围。
在此处提供了用于形成半导体器件的一种或多种技术以及最后得到的结构。
为了解决现有技术中所存在的问题,根据本发明的一个方面,提供了一种半导体器件,包括:
沟道,具有第一线性表面和第一非线性表面,所述第一非线性表面限定约80度至约100度的第一外角以及约80度至约100度的第二外角;
介电区,覆盖所述沟道;以及
栅电极,覆盖所述介电区。
在可选实施例中,所述第一非线性表面限定相对于所述第一线性表面的第一角度,所述第一角度为大约40度至大约50度。
在可选实施例中,所述第一非线性表面限定相对于所述沟道的第二线性表面的第二角度,所述第二角度为大约40度至大约50度。
在可选实施例中,所述沟道具有第二非线性表面,所述第二非线性表面限定约80度至约100度的第三外角。
在可选实施例中,所述第二非线性表面限定约80度至约100度的第四外角。
在可选实施例中,所述第一线性表面与所述沟道的第二线性表面基本上正好相对。
在可选实施例中,所述第一非线性表面与所述沟道的第二非线性表面基本上正好相对。
在可选实施例中,所述第一非线性表面和所述第二非线性表面包括{111}表面晶体取向。
根据本发明的另一个方面,还提供了一种半导体器件,包括:
沟道,具有第一线性表面、第二线性表面、第一非线性表面以及第二非线性表面,所述第一线性表面与所述第二线性表面基本上正好相对,所述第一非线性表面与所述第二非线性表面基本上正好相对;
介电区,覆盖所述第一线性表面但是不覆盖所述第二线性表面;以及
栅电极,覆盖所述介电区。
在可选实施例中,所述第一非线性表面限定相对于所述第一线性表面的第一角度,所述第一角度为大约40度至大约50度。
在可选实施例中,所述第一非线性表面限定相对于所述第二线性表面的第二角度,所述第二角度为大约40度至大约50度。
在可选实施例中,所述第一非线性表面限定约80度至约100度的第一外角以及约80度至约100度的第二外角。
在可选实施例中,所述第二非线性表面限定相对于所述第一线性表面的第三角度,所述第三角度为大约40度至大约50度。
在可选实施例中,所述第二非线性表面限定相对于所述第二线性表面的第四角度,所述第四角度为大约40度至大约50度。
在可选实施例中,所述第二非线性表面限定约80度至约100度的第三外角以及约80度至约100度的第四外角。
在可选实施例中,所述第一非线性表面包括{111}表面晶体取向。
在可选实施例中,所述第二非线性表面包括{111}表面晶体取向。
根据本发明的又一方面,还提供了一种形成半导体器件的方法,包括:
在衬底上方形成沟道,使得所述沟道的第一线性表面朝向远离所述衬底的顶面的方向,所述沟道的第二线性表面面向所述衬底的顶面,并且使得所述沟道的第一非线性表面限定约80度至约100度的第一外角;
在所述第一线性表面的上方形成介电区,但是不在所述第二线性表面的上方形成介电区;以及
在所述介电区的上方形成栅电极。
在可选实施例中,所述的方法包括:形成具有第一非线性表面的沟道,所述第一非线性表面限定相对于所述第一线性表面的第一角度以及相对于所述第二线性表面的第二角度。
在可选实施例中,所述方法包括:形成具有第二非线性表面的沟道,所述第二非线性表面限定相对于所述第一线性表面的第三角度以及相对于所述第二线性表面的第四角度。
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