[发明专利]一种叠层芯片的晶圆级铜凸块封装方法

摘要

发明涉及叠层芯片的晶圆级铜凸块封装方法，应用了铜凸块的多次分布，以达成凸起区域上的铜凸块和芯片底部铜凸块的高度一致，并且运用了雾化光阻涂布技术，保证了凸起区域侧壁的光阻覆盖性。使用铜凸块作为对外电性连接，可以在更小的芯片尺寸上排布更多的电性连接点，使单位面积内电性连接点排布更为密集，从而得到集成度更高、串扰更小、噪声更低的封装模块、制造成本也大幅度降低。本发明能够保证在倒装焊的过程中更好地连接。

主权项

一种叠层芯片的晶圆级铜凸块封装方法，其特征在于，采用叠层芯片，包括第一硅承载层和第二硅承载层，所述第二硅承载层铺设在所述第一硅承载层的底部形成凸起区域，所述第一承载层的底部设有第一电性连接点，所述凸起区域上设有第二电性连接点，包括以下步骤：（1）在叠层芯片上生长一层电性隔绝层，其中，每一个电性连接点所处的位置上方对应的留有一个开口；（2）在晶圆上整面的通过雾化光阻涂覆，形成覆盖表面及凸起区域侧面的一层光阻层，光阻层经过光刻图形转移，对应在每一个电性连接点所处位置的上方形成开口；（3）在此光阻层上沉积一层均匀的金属层，并使得金属层与电性连接点相互连通；（4）在金属层上通过旋涂方法涂布一层较厚的光刻胶，通过光刻图形转移后对应的在每一个芯片底部的第一电性连接点所在位置的上方形成直孔；（5）在第一电性连接点上通过多次电镀生长出第一铜凸块，并去除光刻胶；（6）在金属层上通过旋涂方法再涂布一层较厚的光刻胶，通过光刻图形转移后对应的在每一个凸起区域的第二电性连接点所在位置的上方形成直孔；（7）在第二电性连接点上通过多次电镀生长出第二铜凸块，使得第二铜凸块的顶部与第一铜凸块的顶部位于同一水平面，去除光刻胶；（8）金属刻蚀使每一个铜凸点形成独立的电性单元。