[发明专利]一种叠层芯片的晶圆级铜凸块封装方法

权利要求书

1.一种叠层芯片的晶圆级铜凸块封装方法，其特征在于，采用叠层芯片，包括第一硅承载层和第二硅承载层，所述第二硅承载层铺设在所述第一硅承载层的底部形成凸起区域，所述第一承载层的底部设有第一电性连接点，所述凸起区域上设有第二电性连接点，包括以下步骤：

（1）在叠层芯片上生长一层电性隔绝层，其中，每一个电性连接点所处的位置上方对应的留有一个开口；

（2）在晶圆上整面的通过雾化光阻涂覆，形成覆盖表面及凸起区域侧面的一层光阻层，光阻层经过光刻图形转移，对应在每一个电性连接点所处位置的上方形成开口；

（3）在此光阻层上沉积一层均匀的金属层，并使得金属层与电性连接点相互连通；

（4）在金属层上通过旋涂方法涂布一层较厚的光刻胶，通过光刻图形转移后对应的在每一个芯片底部的第一电性连接点所在位置的上方形成直孔；

（5）在第一电性连接点上通过多次电镀生长出第一铜凸块，并去除光刻胶；

（6）在金属层上通过旋涂方法再涂布一层较厚的光刻胶，通过光刻图形转移后对应的在每一个凸起区域的第二电性连接点所在位置的上方形成直孔；

（7）在第二电性连接点上通过多次电镀生长出第二铜凸块，使得第二铜凸块的顶部与第一铜凸块的顶部位于同一水平面，去除光刻胶；

（8）金属刻蚀使每一个铜凸点形成独立的电性单元。

2.根据权利要求1所述的叠层芯片的晶圆级铜凸块封装方法，其特征在于，所述铜凸块为方形或圆形。

3.根据权利要求1所述的叠层芯片的晶圆级铜凸块封装方法，其特征在于，所述凸起区域高出所述第一硅承载层底部20-40微米。

4.根据权利要求3所述的叠层芯片的晶圆级铜凸块封装方法，其特征在于，所述第一铜凸块的高度为80-120微米；所述第二铜凸块的高度为40-100微米。

5.根据权利要求1所述的叠层芯片的晶圆级铜凸块封装方法，其特征在于，所述光阻层的厚度为10-15微米。

6.根据权利要求1所述的叠层芯片的晶圆级铜凸块封装方法，其特征在于，所述金属层的厚度为1-2微米。