[发明专利]降低DRAM访问的访问粒度的地址位重映射方案

摘要

本发明的一个实施例阐述了用于通过使用第一引脚子集发送第一列命令到第一DRAM设备和使用经改变用途的第二引脚子集发送第二列命令到第二DRAM设备，以访问在DRAM存储器页面内的非连续位置的方法。所公开的技术的一个优势是它需要最少的附加引脚、空间或功率消耗。进一步，发送多个地址命令为增加的DRAM访问粒度留出余地，因此可以更高效地利用引脚。因此，所公开的技术提供了用于在DRAM存储页面内访问非连续位置的更好的方法。

主权项

一种用于访问在动态随机访问存储器（DRAM）的存储器页面内的非连续位置的方法，所述方法包括：经由在存储器控制器上的多个引脚和在第一DRAM设备和第二DRAM设备上相应的多个引脚，传送行地址命令到所述第一DRAM设备和所述第二DRAM设备；经由在所述存储器控制器上的多个引脚，传送第一列地址命令到第一DRAM设备和传送第二列地址命令到所述第二DRAM设备；和经由在所述存储器控制器上的多个引脚和在所述第一DRAM设备上的相应的多个引脚和所述第二DRAM设备上的相应的多个引脚，传送数据命令到所述第一DRAM设备和所述第二DRAM设备。