[发明专利]降低DRAM访问的访问粒度的地址位重映射方案无效

专利信息
申请号: 201310683101.9 申请日: 2013-12-12
公开(公告)号: CN103870412A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 阿洛克·古普塔;威什韦斯·甘地;拉姆·古马地 申请(专利权)人: 辉达公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16;G06F3/06
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;谢栒
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 降低 dram 访问 粒度 地址 映射 方案
【权利要求书】:

1.一种用于访问在动态随机访问存储器(DRAM)的存储器页面内的非连续位置的方法,所述方法包括:

经由在存储器控制器上的多个引脚和在第一DRAM设备和第二DRAM设备上相应的多个引脚,传送行地址命令到所述第一DRAM设备和所述第二DRAM设备;

经由在所述存储器控制器上的多个引脚,传送第一列地址命令到第一DRAM设备和传送第二列地址命令到所述第二DRAM设备;和

经由在所述存储器控制器上的多个引脚和在所述第一DRAM设备上的相应的多个引脚和所述第二DRAM设备上的相应的多个引脚,传送数据命令到所述第一DRAM设备和所述第二DRAM设备。

2.一种存储器子系统,所述存储器子系统用于访问在存储器页面内的非连续位置,所述存储器子系统包括:

具有多个引脚的第一DRAM设备;

具有多个引脚的第二DRAM设备;和

具有多个引脚的存储器控制器,所述存储器控制器配置为:

经由在所述存储器控制器上的多个引脚和在所述第一DRAM设备和所述第二DRAM设备上相应的多个引脚,传送行地址命令到所述第一DRAM设备和所述第二DRAM设备;

经由在所述存储器控制器上的多个引脚,传送第一列地址命令到所述第一DRAM设备和传送第二列地址命令到所述第二DRAM设备;和

经由在所述存储器控制器上的多个引脚和在所述第一DRAM设备和所述第二DRAM设备上的相应的多个引脚,传送数据命令到所述第一DRAM设备和所述第二DRAM设备。

3.如权利要求2所述的存储器子系统,其中,传送所述第一列地址命令和所述第二列地址命令包括:

经由在所述存储器控制器上的第一引脚子集和在所述第一DRAM设备上的第一引脚子集传送所述第一列命令到所述第一DRAM设备;和

经由在所述存储器控制器上的第二引脚子集和在所述第二DRAM设备上的第一引脚子集传送所述第二列命令到所述第二DRAM设备。

4.如权利要求3所述的存储器子系统,其中,所述存储器控制器进一步配置为将在所述存储器控制器上的第二引脚子集与在所述第二DRAM设备上的第二引脚子集混连。

5.如权利要求4所述的存储器子系统,其中,在所述存储器控制器上的第二引脚子集包括在所述存储器控制器上的高级引脚集,在所述第二DRAM设备上的第一引脚子集包括在所述第二DRAM设备上的低级引脚集,且在所述存储器控制器上的所述高级引脚被改变用途用于传送一个或多于一个的列地址命令到在所述第二DRAM设备上的低级引脚。

6.如权利要求5所述的存储器子系统,其中,在所述存储器控制器上的第一引脚子集包括在所述存储器控制器上的低级引脚集,且在所述第一DRAM设备上的第一引脚子集包括在所述DRAM设备上的低级引脚集。

7.如权利要求2所述的存储器子系统,其中,所述第一列地址和所述第二列地址包括位于存储器页面内的非连续地址。

8.如权利要求7所述的存储器子系统,其中,至少部分所述存储器页面存储在所述第一DRAM设备的行内,且至少部分所述存储器页面存储在所述第二DRAM设备的相应行内。

9.如权利要求7所述的存储器子系统,其中,所述第一列地址和所述第二列地址之间的距离取决于所用引脚的数目。

10.一种计算设备,包括:

存储器子系统,所述存储器子系统用于访问在存储器页面内的非连续位置,所述存储器子系统包括:

具有多个引脚的第一DRAM设备;

具有多个引脚的第二DRAM设备;和

具有多个引脚的存储器控制器,所述存储器控制器配置为:

经由在存储器控制器上的多个引脚和在所述第一DRAM设备和所述第二DRAM设备上的相应的多个引脚,传送行地址命令到所述第一DRAM设备和所述第二DRAM设备;

经由在所述存储器控制器上的多个引脚传送第一列地址命令到所述第一DRAM设备和第二列地址命令到所述DRAM设备;和

经由在所述存储器控制器上的多个引脚和在所述第一DRAM设备和第二DRAM设备上的相应的多个引脚,传送数据命令到所述第一DRAM设备和所述第二DRAM设备。

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