[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

发明公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，衬底背面设有接地电极；位于衬底上的半导体层，半导体层包括有源区和无源区，有源区为封闭形式，有源区之外的区域为无源区；位于半导体层上的源极和漏极；位于半导体层上的栅极，栅极在源极和漏极间呈叉指状分布；与有源区内的每个源极直接连接且相互对应的源极焊盘，源极焊盘位于半导体层上的无源区内，源极焊盘对称分布在栅极之间或两侧；位于接地电极和源极焊盘间的通孔，通孔贯穿衬底和半导体层，直至源极焊盘。本发明解决了目前半导体器件的通孔位置分布带来的问题，同时又利用了其优点，最大程度地减小了器件源极的接地电感，提高了器件的增益和功率等性能。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底背面设有接地电极；位于所述衬底上的半导体层，所述半导体层包括有源区和无源区，有源区为封闭形式，有源区之外的区域为无源区；位于所述半导体层上的源极和漏极，有源区内的源极和漏极为欧姆接触电极，欧姆接触电极的尺寸相等且间隔相等，无源区内的漏极为有源区内的漏极的互连金属；位于所述半导体层上的栅极，所述栅极在源极和漏极间呈叉指状分布，无源区内的栅极为有源区内的栅极的互连金属；与有源区内的每个源极直接连接且相互对应的源极焊盘，所述源极焊盘位于半导体层上的无源区内，源极焊盘为有源区内的源极的互联金属，所述源极焊盘对称分布在栅极之间或两侧；位于接地电极和源极焊盘间的通孔，所述通孔贯穿衬底和半导体层，直至源极焊盘，通孔使源极焊盘和衬底背面的接地电极电性连接。