[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

衬底，所述衬底背面设有接地电极；

位于所述衬底上的半导体层，所述半导体层包括有源区和无源区，有源区为封闭形式，有源区之外的区域为无源区；

位于所述半导体层上的源极和漏极，有源区内的源极和漏极为欧姆接触电极，欧姆接触电极的尺寸相等且间隔相等，无源区内的漏极为有源区内的漏极的互连金属；

位于所述半导体层上的栅极，所述栅极在源极和漏极间呈叉指状分布，无源区内的栅极为有源区内的栅极的互连金属；

与有源区内的每个源极直接连接且相互对应的源极焊盘，所述源极焊盘位于半导体层上的无源区内，源极焊盘为有源区内的源极的互联金属，所述源极焊盘对称分布在栅极之间或两侧；

位于接地电极和源极焊盘间的通孔，所述通孔贯穿衬底和半导体层，直至源极焊盘，通孔使源极焊盘和衬底背面的接地电极电性连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述有源区内的每个源极与一个或多个源极焊盘直接连接。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述每个源极焊盘与一个或多个通孔相连。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述有源区内的源极对应的源极焊盘的截面形状相同或截面形状不同。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源极焊盘的截面为规则形状或不规则形状。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔的截面为规则形状或不规则形状。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层包括氮化镓、铝镓氮、铟镓氮、铝铟镓氮、砷化镓、磷化铟中一种或多种的组合。

8.一种如权利要求1～7中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S1、提供一衬底，在所述衬底背面形成接地电极；

S2、在所述衬底正面上沉积半导体层，所述半导体层包括有源区和无源区，有源区为封闭形式，有源区之外的区域为无源区；

S3、在所述半导体层上形成源极和漏极，有源区内的源极和漏极为欧姆接触电极，欧姆接触电极的尺寸相等且间隔相等，无源区内的漏极为有源区内的漏极的互连金属；

S4、在所述半导体层上形成栅极，所述栅极在源极和漏极间呈叉指状分布，无源区内的栅极为有源区内的栅极的互连金属；

S5、在所述半导体层上沉积源极的互联金属形成源极焊盘，所述源极焊盘与有源区内的每个源极直接连接且相互对应，源极焊盘位于半导体层上的无源区内，所述源极焊盘对称分布在栅极之间或两侧；

S6、在接地电极和源极焊盘间形成电性连接的通孔，所述通孔贯穿衬底和半导体层，直至源极焊盘。