[发明专利]高效率微波功率放大器脉冲调制器在审

专利信息
申请号: 201310673941.7 申请日: 2013-12-11
公开(公告)号: CN103746685A 公开(公告)日: 2014-04-23
发明(设计)人: 韩煦;成海峰;徐建华;周昊 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210000 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种高效率微波功率放大器脉冲调制器,包括高压侧MOSFET驱动器[HVIC]、低压侧MOSFET驱动器[LVIC]、高压侧MOSFET[Q1],低压侧MOSFET[Q2]、二极管[Dboot]、电容[Cboot]、高压侧MOSFET驱动器[HVIC]和低压侧MOSFET驱动器[LVIC]供电端口VCC、输入脉冲信号TTL、高压侧MOSFET[HVIC]漏极加电信号VDD。该调制器可驱动高电压工作的GaN功放,脉冲前后沿较好,后沿无拖尾,效率高特别适用在GaN脉冲功率放大器中。
搜索关键词: 高效率 微波 功率放大器 脉冲 调制器
【主权项】:
一种新型高效率微波功率放大器脉冲调制器,其特征在于:包括高压侧MOSFET驱动器、低压侧MOSFET驱动器、高压侧MOSFET、低压侧MOSFET、二极管、电容、供电端口VCC、输入脉冲信号TTL、漏极加电信号VDD;高压侧MOSFET驱动器、低压侧MOSFET驱动器的输出端分别连接高压侧MOSFET与低压侧MOSFET的栅极,输入脉冲信号TTL连接高压侧MOSFET驱动器与低压侧MOSFET驱动器的输入端,供电接口VCC连接高压侧MOSFET驱动器与低压侧MOSFET驱动器的VCC端,漏极加电信号VDD连接高压侧MOSFET的漏极,高压侧MOSFET源极与低压侧MOSFET漏极相连,高压侧MOSFET源极同时与负载连接,在供电接口VCC与高压侧MOSFET源极之间并联二极管及电容,在电容两端并联高压侧MOSFET驱动器的VB端及Vs端。
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