[发明专利]高效率微波功率放大器脉冲调制器

说明书

技术领域

本发明涉及脉冲调制器，更为具体地说，是涉及一种高效率微波功率放大器脉冲调制器。

背景技术

在微波、毫米波电路中，脉冲调制器被广泛应用于微波功率放大电路中。从六七十年代到现今阶段，已经涌现了关于脉冲调制器的大量研究成果，并且这些成果已经光广泛应用于微波工程技术领域。传统的微波功率放大器脉冲调制器脉冲后沿存在拖尾现象，微波功率放大器工作电压较低时后沿拖尾不明显，对效率影响不明显，当微波功率放大器工作电压较高时（如GaN功率放大器），拖尾现象非常明显，大大降低微波功率放大器工作效率。因而，更高效率的平面高功率合成器在业界备受关注。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，发明一种高效率微波功率放大器脉冲调制器。此脉冲调制器不仅效率高，且电路简单成本低廉，可应用于微波功率放大器中。

本发明通过如下技术手段加以实现：一种新型高效率微波功率放大器脉冲调制器，包括高压侧MOSFET驱动器、低压侧MOSFET驱动器、高压侧MOSFET、低压侧MOSFET、二极管、电容、供电端口VCC、输入脉冲信号TTL、漏极加电信号VDD，

高压侧MOSFET驱动器、低压侧MOSFET驱动器的输出端分别连接高压侧MOSFET与低压侧MOSFET的栅极，输入脉冲信号TTL连接高压侧MOSFET驱动器与低压侧MOSFET驱动器的输入端，供电接口VCC连接高压侧MOSFET驱动器与低压侧MOSFET驱动器的VCC端，漏极加电信号VDD连接高压侧MOSFET的漏极，高压侧MOSFET源极与低压侧MOSFET漏极相连，高压侧MOSFET源极同时与负载连接，在供电接口VCC与高压侧MOSFET源极之间并联二极管及电容，在电容两端并联高压侧MOSFET驱动器的VB端及Vs端。

高压侧MOSFET驱动器HVIC输出与低压侧MOSFET驱动器LVIC输出相位相反。

本发明具有以下有益效果：本文与现有技术相比，该调制器可驱动高电压工作的GaN功放，脉冲前后沿较好，后沿无拖尾，效率高,特别适用在GaN脉冲功率放大器中。

附图说明

图1是本发明所述高效率微波功率放大器脉冲调制器原理图。

图2是本发明所述高效率微波功率放大器脉冲调制器测试结果示意图。

具体实施方式

本实施例为高效率微波功率放大器脉冲调制器。其结构如图1所示，一种新型高效率微波功率放大器脉冲调制器，包括高压侧MOSFET驱动器、低压侧MOSFET驱动器、高压侧MOSFET、低压侧MOSFET、二极管、电容、供电端口VCC、输入脉冲信号TTL、漏极加电信号VDD；

高压侧MOSFET驱动器、低压侧MOSFET驱动器的输出端分别连接高压侧MOSFET与低压侧MOSFET的栅极，输入脉冲信号TTL连接高压侧MOSFET驱动器与低压侧MOSFET驱动器的输入端，供电接口VCC连接高压侧MOSFET驱动器与低压侧MOSFET驱动器的VCC端，漏极加电信号VDD连接高压侧MOSFET的漏极，高压侧MOSFET源极与低压侧MOSFET漏极相连，高压侧MOSFET源极同时与负载连接，在供电接口VCC与高压侧MOSFET源极之间并联二极管及电容，在电容两端并联高压侧MOSFET驱动器的VB端及Vs端。且高压侧MOSFET驱动器HVIC输出与低压侧MOSFET驱动器LVIC输出相位相反。

本实施例所述高效率微波功率放大器脉冲调制器测试结果如图2所示。由于本实施例的主要特点是脉冲后沿好，所以图2只提供了脉冲波形后沿的示波器照片。从图2可以看出：脉冲后沿为41ns。