[发明专利]一种分子铁电薄膜及其溶液浸泡生长方法有效
| 申请号： | 201310671979.0 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103740327A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 袁国亮;马赫;常磊;高文秀 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C09K3/00 | 分类号： | C09K3/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 朱显国 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种分子铁电薄膜及其溶液浸泡生长方法。所述的薄膜为晶体薄膜，具备铁电性，其组成物质为有机-无机化合物分子铁电体。将分子铁电体溶液与清洁的基片相接触，并均匀地在基片上铺展且蒸发以获得均匀的薄膜，并将制得的均匀薄膜与质量浓度不小于其饱和时90%的该分子铁电体溶液相接触一定时间。本发明的意义在于，采用溶液浸泡生长法制备的分子铁电薄膜具备良好的铁电性，可以利用外加电场反转薄膜任意特定区域的极化方向，实现基于铁电效应的数据存储。本发明在铁电存储器领域具备潜在的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分子 薄膜 及其 溶液 浸泡 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种分子铁电薄膜，其特征在于所述的铁电薄膜具有铁电性，所述薄膜为晶体薄膜，具备自发极化，且所述薄膜任意区域的极化方向可被外电场反转。
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