[发明专利]一种氮化镓基发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201310665463.5 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103715339A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 云峰;郭茂峰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管及其制备方法，所述氮化镓基发光二极管包括X型氮化镓层和设置于X型氮化镓层上的X型电极；所述X型电极下部的X型氮化镓层上形成有电流阻隔区域；电流阻隔区域的面积小于X型电极的面积；所述X型氮化镓层为N型氮化镓层或P型氮化镓层，所述X型电极对应X型氮化镓层为N型电极或P型电极。本发明利用光刻和等离子干法刻蚀技术，使被处理表面形成高阻区域，最终实现电流分向导引的目的，使LED电极区域的无效发光被大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基发光二极管，其特征在于，包括X型氮化镓层和设置于X型氮化镓层上的X型电极；所述X型电极下部的X型氮化镓层上形成有电流阻隔区域；电流阻隔区域的面积小于X型电极的面积；所述X型氮化镓层为N型氮化镓层或P型氮化镓层，所述X型电极对应X型氮化镓层为N型电极或P型电极。
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