[发明专利]一种氮化镓基发光二极管及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310665463.5 申请日: 2013-12-10
公开(公告)号: CN103715339A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 云峰;郭茂峰 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 氮化 发光二极管 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种氮化镓基发光二极管,其特征在于,包括X型氮化镓层和设置于X型氮化镓层上的X型电极;所述X型电极下部的X型氮化镓层上形成有电流阻隔区域;电流阻隔区域的面积小于X型电极的面积;所述X型氮化镓层为N型氮化镓层或P型氮化镓层,所述X型电极对应X型氮化镓层为N型电极或P型电极。

2.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管,其特征在于,所述电流阻隔区域为在X型氮化镓层上采用等离子体进行干法刻蚀,使该区域P型氮化镓材料的导电能力下降而形成。

3.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管,其特征在于,X型电极的下部设有反光镜层。

4.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管,其特征在于,所述氮化镓基发光二极管工作时,电流阻隔区域具有电流阻挡作用对电流分向导引,电流从X型氮化镓层的电流阻隔区域以外的其他低阻区域流过,减少了X型电极因遮挡效应造成的发光损失,间接提高电流阻隔区域以外其他区域的发光。

5.根据权利要求2所述的一种氮化镓基发光二极管,其特征在于,采用等离子体进行干法刻蚀制备电流阻隔区域时,采用O2等离子体、F基等离子体或两者混合等离子。

6.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管,其特征在于,所述氮化镓基发光二极管为水平结构,所述X型氮化镓层为P型氮化镓层,所述X型电极为P型电极;P型氮化镓层下方依次设有多量子阱层(12)、N型氮化镓层(11)和衬底(10);P型氮化镓层上设有TCL透明导电层(15),TCL透明导电层(15)部分被刻蚀掉露出P型氮化镓层上的电流阻隔区域;P型电极设置于TCL透明导电层(15)被刻蚀掉部分的上部;N型氮化镓层(11)上形成有N电极区域,N电极区域上设有N型电极。

7.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管,其特征在于,所述氮化镓基发光二极管为垂直结构,所述X型氮化镓层为N型氮化镓层,所述X型电极为N型电极;N型氮化镓层下方依次设有多量子阱层(12)、P型氮化镓层(13)、金属键合层(20)、导电衬底(21)和焊接层(22)。

8.根据权利要求1所述的一种氮化镓基发光二极管,其特征在于,电流阻隔区域的比接触电阻率>10-5Ω·cm2

9.权利要求1至8中任一项所述的一种氮化镓基发光二极管的制备方法,其特征在于,在所述X型氮化镓层上利用O基等离子体、F基等离子体或二者混合的离子体对该X型氮化镓层上部分区域进行等离子干法刻蚀,使该区域X型氮化镓材料的导电能力下降,获得电流阻隔区域,其中比接触电阻率>10-5Ω·cm2;然后再在电流阻隔区域的上方制备出X型电极。

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