[发明专利]InGaN/GaN超晶格缓冲层结构、制备方法及含该结构的LED芯片有效
| 申请号： | 201310662500.7 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103633214B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 马欢 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长沙智嵘专利代理事务所43211 | 代理人： | 黄子平 |
| 地址： | 423038 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种InGaN/GaN超晶格缓冲层、制备方法及含该结构的LED芯片。该InGaN/GaN超晶格缓冲层结构，包括浅量子阱层和MQW层，包括设置于浅量子阱层和MQW层之间的超晶格缓冲层；超晶格缓冲层包括多个依次叠置的缓冲层单元，其中，每个缓冲层单元包括：InGaN层以及多个掺杂层；掺杂层包括依次叠置的uGaN层和nGaN层，并设置在InGaN层上。本发明提供的InGaN/GaN超晶格缓冲层结构能提高具有该结构的LED芯片有源区晶体质量，降低有源区晶格失配和热应力失配，有效减少电子泄露，增加载流子与空穴的复合效率，提高器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | ingan gan 晶格 缓冲 结构 制备 方法 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种InGaN/GaN超晶格缓冲层结构，包括浅量子阱层(8)和MQW层(12)，其特征在于，包括设置于所述浅量子阱层(8)和MQW层(12)之间的超晶格缓冲层(110)；所述超晶格缓冲层(110)包括多个依次叠置的缓冲层单元，其中，每个所述缓冲层单元包括：InGaN层(9)以及多个掺杂层；所述掺杂层包括依次叠置的uGaN层(10)和nGaN层(11)，并设置在所述InGaN层(9)上；所述掺杂层为2～5个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司，未经湘能华磊光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310662500.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：低温共烧多层压电陶瓷及其制备方法
- 下一篇：一种植物养护装置
