[发明专利]具有覆盖结构的MEMS器件结构在审
| 申请号： | 201310661669.0 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104045053A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 郑钧文;朱家骅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开的集成电路器件包括设置在半导体衬底上方的介电层，介电层具有形成在其中的牺牲腔体，形成到介电层上的膜层，以及在膜层上形成的覆盖层从而形成第二腔体，第二腔体通过形成在膜层内的通孔连接至牺牲腔体。本发明还公开了具有覆盖结构的MEMS器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 覆盖 结构 mems 器件 | ||
【主权项】：
一种用于形成集成电路器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成介电层，所述衬底包括与微机电系统（MEMS）器件相互作用的电路；在所述介电层内形成的牺牲腔体内形成牺牲材料；在所述介电层和牺牲材料上方形成膜层；通过穿过所述膜层形成的至少一个通孔去除所述牺牲材料；以及在所述膜层上形成介电覆盖结构从而形成第二腔体，所述第二腔体通过在所述膜层内形成的所述至少一个通孔连接至所述牺牲腔体。
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