[发明专利]具有覆盖结构的MEMS器件结构

权利要求书

1.一种用于形成集成电路器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成介电层，所述衬底包括与微机电系统（MEMS）器件相互作用的电路；

在所述介电层内形成的牺牲腔体内形成牺牲材料；

在所述介电层和牺牲材料上方形成膜层；

通过穿过所述膜层形成的至少一个通孔去除所述牺牲材料；以及

在所述膜层上形成介电覆盖结构从而形成第二腔体，所述第二腔体通过在所述膜层内形成的所述至少一个通孔连接至所述牺牲腔体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述介电覆盖结构包括将位于覆盖衬底的表面上的覆盖介电层接合至所述膜层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述覆盖衬底上的所述覆盖介电层熔融接合至所述膜层。

4.根据权利要求2所述的方法，还包括：在所述接合之后，去除所述覆盖衬底的材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，通过湿蚀刻工艺和研磨工艺中的一种去除所述覆盖衬底。

6.一种形成集成电路器件的方法，所述方法包括：

形成包括与微机电系统（MEMS）器件相互作用的电路的半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成底部电极层；

在所述底部电极层上形成介电层；

在所述介电层内形成的牺牲腔体内形成牺牲材料；

在所述介电层上形成顶部电极层；

在所述顶部电极层上方形成膜层；

通过穿过所述膜层形成的至少一个通孔去除所述牺牲材料；以及

在所述膜层上形成介电覆盖结构从而形成第二腔体，所述第二腔体通过在所述膜层内形成的所述至少一个通孔连接至所述牺牲腔体。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述介电覆盖结构包括：

在临时覆盖衬底上形成覆盖介电层；

将所述覆盖介电层接合至所述膜层。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：在所述接合之后，去除覆盖衬底的材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，通过湿蚀刻工艺和研磨工艺中的一种去除所述覆盖衬底。

10.一种集成电路器件，包括：

介电层，设置在互补金属氧化物半导体（CMOS）衬底上方，所述CMOS衬底具有与MEMS器件相互作用的电路，所述介电层具有形成在其中的牺牲腔体；

顶部电极层，位于所述牺牲腔体的顶部；

底部电极层，位于所述牺牲腔体的底部；

膜层，形成在所述介电层上方，所述膜层具有位于所述牺牲腔体上方的通孔；以及

覆盖结构，包括设置在所述膜层上方的介电材料，其中，第二腔体设置在所述覆盖结构和所述膜层之间，所述第二腔体通过所述膜层内的所述通孔连接至所述牺牲腔体。