[发明专利]数字X射线平板探测器在审
| 申请号： | 201310657594.9 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103745982A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 范波 | 申请（专利权）人： | 江苏龙信电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/0232;G21K4/00 |
| 代理公司： | 北京瑞思知识产权代理事务所(普通合伙) 11341 | 代理人： | 李涛 |
| 地址： | 215332 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种数字X射线平板探测器，包括闪烁屏和与所述闪烁屏紧贴的非晶硅传感器阵列，所述闪烁屏包括：基板、附着在所述基板上表面的反射层、沉积在所述反射层上的闪烁层、压合在所述闪烁层上的防水薄膜层，所述闪烁层为针状结构的碘化铯晶体陈列，其厚度为800-1000μm，所述非晶硅传感器陈列位于所述基板的下表面。通过上述方式，本发明数字X射线平板探测器采用具有高分辨率的碘化铯闪烁屏，具有成像性能好的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 数字 射线 平板 探测器 | ||
【主权项】：
一种数字X射线平板探测器，其特征在于，包括：闪烁屏和与所述闪烁屏紧贴的非晶硅传感器阵列，所述闪烁屏包括：基板、附着在所述基板上表面的反射层、沉积在所述反射层上的闪烁层、压合在所述闪烁层上的防水薄膜层，所述闪烁层为针状结构的碘化铯晶体陈列，其厚度为800‑1000μm，所述非晶硅传感器陈列位于所述基板的下表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
