[发明专利]数字X射线平板探测器在审
申请号: | 201310657594.9 | 申请日: | 2013-12-09 |
公开(公告)号: | CN103745982A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 范波 | 申请(专利权)人: | 江苏龙信电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0232;G21K4/00 |
代理公司: | 北京瑞思知识产权代理事务所(普通合伙) 11341 | 代理人: | 李涛 |
地址: | 215332 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数字 射线 平板 探测器 | ||
技术领域
本发明涉及X 射线成像技术领域,特别是涉及一种数字X射线平板探测器。
背景技术
数字X射线平板探测器的成像性能主要取决于闪烁屏的图像分辨率高低,现在闪烁屏中的闪烁体一般使用碘化铯晶体,但是碘化铯材料为吸湿性材料,当其吸收空气中的水分而潮解时,会影响闪烁体的特性,特别是图像分辨率大大降低,因此,有效封装闪烁体,防止闪烁体受潮,改善闪烁屏的图像分辨率,从而能提高数字X射线平板探测器的成像性能。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种数字X射线平板探测器,采用具有高分辨率的碘化铯闪烁屏,具有成像性能好的特点。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种数字X射线平板探测器,包括:闪烁屏和与所述闪烁屏紧贴的非晶硅传感器阵列,所述闪烁屏包括:基板、附着在所述基板上表面的反射层、沉积在所述反射层上的闪烁层、压合在所述闪烁层上的防水薄膜层,所述闪烁层为针状结构的碘化铯晶体陈列,其厚度为800-1000μm,所述非晶硅传感器陈列位于所述基板的下表面。
在本发明一个较佳实施例中,所述基板为玻璃或玻璃纤维板。
在本发明一个较佳实施例中,所述反射层为金属薄膜。
在本发明一个较佳实施例中,所述金属薄膜为铝膜或者银膜。
本发明的有益效果是:本发明数字X射线平板探测器,X射线通过碘化铯闪烁屏把变换成可见光;可见光通过非晶硅传感器陈列变换成信号电荷取得图像;由于该碘化铯闪烁屏具有图像高分辨率的特性,故使用该闪烁屏的数字X射线平板探测器具有成像性能好的特点。
附图说明
图1是本发明X射线平板探测器一较佳实施例的结构示意图;
附图中各部件的标记如下:1、闪烁屏,2、非晶硅传感器陈列,10、基板,11、反射层,12、闪烁层,13、防水薄膜层。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
请参阅图1,本发明实施例包括:
一种数字X射线平板探测器,包括:闪烁屏1和与所述闪烁屏1紧贴的非晶硅传感器阵列2,所述闪烁屏1包括:基板10、附着在所述基板10上表面的反射层11、沉积在所述反射层11上的闪烁层12、压合在所述闪烁层12上的防水薄膜层13;所述非晶硅传感器陈列2位于所述基板10的下表面,用于把可见光变换成信号电荷取得图形。
其中,所述所述基板10为玻璃或玻璃纤维板,表面光滑,对X射线吸收率低于5%;所述反射层11为金属薄膜,所述金属薄膜优选为铝膜或者银膜,其对可见光的反射率大于90%,可以提高图像分辨率;所述闪烁层12为针状结构的碘化铯晶体陈列,用于把X射线变换成可见光,其厚度为800-1000μm,吸收高能X射线的效率高,可以提高图像分辨率;所述闪烁层12上还压合有防水薄膜层13,可以防止闪烁层12中的碘化铯晶体吸收空气中的水汽,从而有效提高闪烁层12的性能及延长其使用寿命。
本发明揭示了一种数字X射线平板探测器,X射线通过碘化铯闪烁屏把变换成可见光;可见光通过非晶硅传感器陈列变换成信号电荷取得图像;由于该碘化铯闪烁屏具有图像高分辨率的特性,故使用该闪烁屏的数字X射线平板探测器具有成像性能好的特点
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的