[发明专利]大尺寸体块硼酸钙氧铽晶体及其生长与应用有效
申请号: | 201310655249.1 | 申请日: | 2013-12-05 |
公开(公告)号: | CN103628138A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 陶绪堂;原东升;贾志泰;高泽亮 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | C30B29/22 | 分类号: | C30B29/22;C30B15/00 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 杨磊 |
地址: | 250100 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 发明涉及一种大尺寸体块硼酸钙氧铽晶体及其生长与应用。该体块硼酸钙氧铽单晶体直径不低于20mm、长度为不低于50mm,紫外-可见-近红外透过光谱在490-1500nm的波长范围内有>85%的高透过率,其紫外吸收截止边位于280nm附近;室温下,压电系数d11=1.8pC/N。本发明还提供该体块硼酸钙氧铽单晶体的生长方法。本发明大尺寸体块TbCOB单晶体用作非线性光学晶体材料、高温压电晶体材料和磁光晶体材料等。 | ||
搜索关键词: | 尺寸 硼酸 钙氧铽 晶体 及其 生长 应用 | ||
【主权项】:
1.大尺寸体块硼酸钙氧铽单晶体,化学式为TbCa4O(BO3)3,属于单斜晶系,空间群为Cm,晶胞参数为:a=8.0715(7)
b=16.0000(15)
c=3.5454(3)
β=101.2550(10)°,Z=2,其特征在于该体块硼酸钙氧铽单晶体直径≥20mm、长度为≥50mm,紫外-可见-近红外透过光谱在490-1500nm的波长范围内有>85%的高透过率,其紫外吸收截止边位于280nm附近;室温下,压电系数d11=1.8pC/N。
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